1、页次英文名称中文名称1ActiveArea主动区（工作区）2ACETONE丙酮3ADI显影后检查4AEI蚀刻后检查5AIRSHOWER空气洗尘室6ALIGNMENT对准7ALLOY/SINTER熔合8AL/SI铝/硅靶9AL/SI/CU铝/硅/铜10ALUMINUN铝11ANGLELAPPING角度研磨12ANGSTRON埃13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积14AS75砷15ASHING，STRIPPING电浆光阻去除16ASSEMBLY晶粒封装17BACKGRINDING晶背研磨18BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE烘烤，软烤，预烤19B
4、子迁移56ELECTRON/HOLE电子/电洞57ELLIPSOMETER椭圆测厚仪58EM（ELECTROMIGRATIONTEST）电子迁移可靠度测试59ENDPOINTDETECTOR终点侦测器60ENERGY能量61EPIWAFER磊晶芯片62EPROM(ERASABLE-PROGRAMMABLEROM）电子可程序只读存储器63ESDELECTROSTATICDAMAGEELECTROSTATICDISCHARGE静电破坏静电放电64ETCH蚀刻65EXPOSURE曝光66FABRICATION（FAB）制造67FBFC（FULLBITFUNCTIONCHIP
5、）全功能芯片68FIELD/MOAT场区69FILTRATION过滤70FIT（FAILUREINTIME）71FOUNDRY客户委托加工72FOURPOINTPROBE四点侦测73F/S（FINESONICCLEAN）超音波清洗74FTIR傅氏转换红外线光谱分析仪75FTY（FINALTESTYIELD）76FUKEDEFECT77GATEOXIDE闸极氧化层78GATEVALVE闸阀79GEC（GOODELECTRICALCHIP）优良电器特性芯片80GETTERING吸附81G-LINEG-光线82GLOBALALIGNMENT整片性对准与计算83GOI（GAT
6、EOXIDEINTEGRITY）闸极氧化层完整性84GRAINSIZE颗粒大小85GRRSTUDY(GAUGEREPEATABILITYANDREPRODUUCIBILITY）测量仪器重复性与再现性之研究86H2SO4硫酸87H3PO4磷酸88HCL氯化氢（盐酸）89HEPA高效率过滤器90HILLOCK凸起物91HMDSHMDS蒸镀92HNO3硝酸93HOTELECTRONEFFECT热电子效应94I-LINESTEPPERI-LINE步进对准曝光机95IMPURITY杂质96INTEGRATEDCIRCUIT（IC）集成电路97IONIMPLANTER离子植入机9
7、8IONIMPLANTATION离子植入99ISOTROPICETCHING等向性蚀刻100ITY（INTEGRATEDTESTYIELD）101LATCHUP栓锁效应102LAYOUT布局103LOADLOCK传送室104LOTNUMBER批号105LPCVD（LOWPRESSURE）低压化学气相沉积106LPSINTER低压烧结107LPY（LASERPROBEYIELD）雷射修补前测试良率108MASK光罩109MICRO,MICROMETER,MICRON微，微米110MISALIGN对准不良111MOS金氧半导体112MPY（MULTIPROBEYIELD）
8、多功能侦测良率113MTBF（MEANTIMEBETWEENFAILURE）114N2,NITROGEN氮气115N,PTYPESEMICONDUCTORN,P型半导体116NSG（NONDOPEDSILICATEGLASS）无参入杂质硅酸盐玻璃117NUMERICALAPERTURE（N.A.）数值孔径118OEB（OXIDEETCHBACK）氧化层平坦化蚀刻119OHMICCONTACT欧姆接触120ONO（OXIDENITRIDEOXIDE）氧化层-氮化层-氧化层121OPL（OPLIFE）（OPERATIONLIFETEST）使用期限（寿命）122OX
9、YGEN氧气123P31磷124PARTICLECONTAMINATION尘粒污染125PARTICLECOUNTER尘粒计数器126PASSIVATIONOXIDE（P/O）护层127P/D（PARTICLEDEFECT）尘粒缺陷128PECVD电浆CVD129PELLICLE光罩护膜130PELLICLE光罩保护膜131PH3氢化磷132PHOTORESIST光阻133PILOTWAFER试作芯片134PINHOLE针孔135PIRANHACLEAN过氧硫酸清洗136PIX聚醯胺膜137PLASMAETCHING电将蚀刻138PM（PREVENTIVEMAINTENANCE
10、）定期保养139POCL3三氯氧化磷140POLYSILICON复晶硅141POX聚醯胺膜含光罩功能142PREHEAT预热143PRESSURE压力144REACTIVEIONETCHING（R.I.E.）活性离子蚀刻145RECIPE程序146REFLOW回流147REGISTRATIONERROR注记差148RELIABILITY可靠性149REPEATDEFECT重复性缺点150RESISTIVITY阻值151RESOLUTION解析力152RETICLE光罩153REWORK/SCRAP/WAIVE修改/报废/签过154RUNIN/OUT挤进/挤出155SCRUBBER
11、刷洗机156SAD（SOFTWAREDEFECTANALYSIS）缺陷分析软件157SEM（SCANNINGELECTRONMICROSCOPE）电子显微镜158SELECTIVITY选择性159SILICIDE硅化物160SILICIDE金属硅化物161SILICON硅162SILICONNITRIDE氯化硅163SMS(SEMICODUCTORMANUFACTURINGSYSTEMS）半导体制造系统164SOFTWARE,HARDWARE软件,硬件165S.O.G.（SPINONGLASS）旋制氧化硅166S.O.J.(SMALLOUTLINEJ-LEADP
12、ACKAGE）缩小型J形脚包装IC167SOLVENT溶剂168SPECIFICATION（SPEC）规范169SPICEPARAMETERSPIC参数170(SPREADINGRESISTENCEANALYSIS）展布电阻分析171SPUTTERING溅镀172SSER（SYSTEMSOFTERRORRATETEST）系统暂时性失效比率测试173STEPCOVERAGE阶梯覆盖174STEPPER步进式对准机175SURFACESTSTES表面状态176SWR（SPECIALWORKREQUEST）177TARGET靶178TDDB（TIMEDEPENDENTDIE
14、RMITY均匀度188VACUUM真空189VACUUMPUMP真空帮浦190VERNIER游标尺191VIACONTACT连接窗192VISCOSITY黏度193VLF（VERTICALLAMINARFLOW）垂直流层194WELL/TANK井区195WLRC(WAFERLEVELRELIABILITYCONTROL）晶圆层次（厂内）可靠度控制196WLQC（WAFERLEVELQUALITYCONTROL）晶圆层次（厂内）品质控制197X-RAYLITHOGRAPHYX光微影技术198YELLOWROOM黄光室页次英文名称中文名称解析1ActiveArea主动区
16、.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3.在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉粘膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5.允许浓度1000PPM。3ADI显影后检查1.定义：AfterDevelopingInspection之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖对准曝光显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。4AEI蚀刻后检查1.定义：AEI即AfterEtchingI
17、nspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。5AIRSHOWER空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。6ALIGNMENT对准1.定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准
18、键合对为之。2.目的：在IC的制造过程中，必须经过610次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3.方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。7ALLOY/SINTER熔合Alloy之目的在使铝与硅基(SiliconSubstrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。8AL/SI铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si(1%)，将此当作组件与外界导线连接。9AL/SI
19、/CU铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5铜，1硅及98.5铝，一般制程通常是使用99铝1硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5铜，以降低金属电荷迁移。10ALUMINUN铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。11ANGLELAPPING角度研磨AngleLapping的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之AngleLapping。公式
20、为Xj=/2NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(SpreadingResistancePrqbing)也是应用AngleLapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。12ANGSTROM埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN.）厚度时用。13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积APCVD为A
21、tmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。14AS75砷自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPEDOPANT常用作N-场区、空乏区及S/D植入。15ASHING，STRIPPING电浆光阻去除1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2.电浆光
22、阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3.电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。16ASSEMBLY晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作
23、晶粒的封装，制程包括：芯片切割晶粒目检晶粒上架（导线架，即Leadframe）焊线模压封装稳定烘烤（使树酯物性稳定）切框、弯脚成型脚沾锡盖印完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。17BACKGRINDING晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil30mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10mil15mil左右。18BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE烘烤，软烤，预烤烘烤（Bak
26、用。利用NH4F固定H的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。22BONDINGPAD焊垫焊垫晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（BondingDiagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要
27、求的限制，祇能做到1.01.3mil（25.433j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。23BORON硼自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是1
28、1。另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B11），用来作场区、井区、VT及S/D植入。24BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metalline溅镀上去后，造成断线。25BREAKDOWNVOLTAGE崩溃电压反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值
29、也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWNVOLTAGE）一般吾人所定义反向P-N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P-N或N-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。26BURNIN预烧试验预烧（Burnin）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预烧试验的作法，乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（FailureMode）提早显现出来，达到筛选、剔除早期夭折产品之目的。预烧试验分为静态预烧（S
30、taticBurnin）与动态预烧（DynamicBurnin）两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际状况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素，有些产品旧祇作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行，当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。27CAD计算机辅助设计CAD：ComputerAidedDesign计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算机为工
31、具，所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计，可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，变可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。28CDMEASUREMENT微距测试CD:CriticalDimension之简称。通常于某一个层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。简言之，微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通
32、常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET等，而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等。29CH3COOH醋酸ACETICACID醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63、沸点118。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8以上之纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。30CHAMBER真空室,反应室专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间之种种外在或内在环境：例如外在粒子数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制
33、。达到芯片最佳反应条件。31CHANNEL信道当在MOS晶体管的闸极上加上电压（PMOS为负，NMOS为正），则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层（InversionLayer），也就是其下之半导体P-type变成N-typeSi，N-type变成P-typeSi，而与源极和汲极，我们旧称此反转层为“信道”。信道的长度“ChannelLength”对MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLYCD的控制需要非常谨慎。32CHIP,DIE晶粒一片芯片（OR晶圆，即Wafer）上有许多相同的方形小单位，这些小单位及称为晶粒。同一芯片上每个晶粒都是
34、相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的，从几百个到几千个不等。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往往就会波及成百成千个产品。33CLT（CARRIERLIFETIME）截子生命周期一、定义少数戴子再温度平均时电子被束缚在原子格内，当外加能量时，电子获得能量，脱离原子格束缚，形成自由状态而参与电流岛通的的工作，但能量消失后，这些电子/电洞将因在结合因素回复至平衡状态，因子当这些载子由被激发后回复平衡期间，称之为少数载子“LIFETIME“二、应用范围1.评估卢管和清洗槽的干净度2.针对芯片之清洁度
35、及损伤程度对CLT值有影响为A.芯片中离子污染浓度及污染之金属种类B.芯片中结晶缺陷浓度34CMOS互补式金氧半导体金属氧化膜半导体（MOS，METAL-OXIDESEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由电洞导电）。而互补式金氧半导体（CMOSCOMPLEMENTARYMOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强、-PARTICLE免疫力好等许多优点，是超大规模集成电路
37、SSECTION横截面IC的制造基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的构造，以改善制程或解决制程问题，经常会利用破坏性切割方式以电子显微镜（SEM）来观察，而切割横截面、观察横截面的方式是其中较为普遍之一种。37C-VPLOT电容,电压圆译意为电容、电压图：也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电压时，会产生不同之电容值（此电压可为正或负），如此组件为理想的组件；也就是闸极和汲极间几乎没有杂质在里面（COMTAMINATION）。当外界环境改变时（温度或压力），并不太会影响它的电容值，利用此可MONITORMOS组件之好坏，一般V0.2为正常。38CWQC全公司品
38、质管制以往有些经营者或老板，一直都认为品质管制是品管部门或品管主管的责任，遇到品质管制做不好时，即立即指责品质主管，这是不对的。品质管制不是品质部门或某一单位就可以做好的，而是全公司每一部门全体人员都参与才能做好。固品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（CompanyWideQualityControl）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体
41、密度系指芯片单位面积上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少缺点数之意，此缺点数一般可分为两大类：A.可视性缺点B.不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来（如桥接、断线），由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数越少，产品量率品质必然越佳，故缺点密度常备用来当作一个工厂制造的产品品质好坏的指针。42DEHYDRATIONBAKE去水烘烤目的：去除芯片表面水分，增加光阻附着力。以免芯片表面曝光显影后光阻掀起。方法：在光阻覆盖之前，利用高温（120或150）加热方式为之。43DENSIFY密化CVD沉积后，由于所沈积之薄膜（THINFILM之密度很低），故以高温步骤使薄膜中之分子重新结
44、GNRULE设计准则设计准则EDSIGNRULE：反应制程能力及制程组件参数，以供IC设计者设计IC时的参考准则。一份完整的DesignRule包括有下列各部分：A.制程参数：如氧化层厚度、复晶、金属层厚度等，其它如流程、ADI、AEI参数。主要为扩散与黄光两方面的参数。B.电气参数：提供给设计者做仿真电路时之参考。C.布局参数：及一般所谓的3m、2m、1.5m等等之Rules，提供布局原布局之依据。D.光罩制作资料：提供给光罩公司做光罩时之计算机资料，如CDBAR、测试键之摆放位置，各层次之相对位置之摆放等。47DIEBYDIEALIGNMENT每FIELD均对准每个Fiel
45、d再曝光前均针对此单一Field对准之方法称之；也就是说每个Field均要对准。48DIFFUSION扩散在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子布植的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。49DIWATER去离子水IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤之后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC。工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系
47、须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管），B.四个Transistor（晶体管）加两个Loadresistor（负载电阻）。由于上述之优缺点，DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监
48、视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。52DRIVEIN驱入离子植入（ionimplantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散道教深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯
50、lyFailureRate是产品可靠度指针，意谓IC到客户手中使用其可能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后，体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求，所以从母批中取样本做可靠度测试，试验中对产品加高压高温，催使不耐久的产品故障，因而得知产品的可靠度。故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸，称为BathtubCurve.55ELECTROMIGRATION电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中之薄金属层时，某
51、些地方之金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近之导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移之抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。56ELECTRON/HOLE电子/电洞电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。垫洞是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。57ELLIPSOMETER椭圆测厚仪将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极，照射在待射芯片，利用所得之不