氮化物半导体制造装置是在硅晶片（或SiC）上堆积GaN(氮化镓)或AlGaN(氮化镓铝)等氮化物来制造半导体。在此过程中，应当堆积在半导体制造装置内晶片上的GaN等半导体薄膜会附着在保持晶片的晶片承载器或气体流路等晶片以外的各种部件上。附着在晶片以外部件上的GaN等成为不需要的污染物，成为制造氮化物半导体方面的障碍，因此需要清洗污染部件从而除去上述氮化物。
通常，将GaN或AlGaN等氮化物与将氯系气体作为主成分的清洗气体反应，从而除去附着在半导体制造装置部件上的氮化物。在500°C以上1000°C以下的温度中，与将氯系气体作为主成分的清洗气体接触的清洗方法。被污染的部件的氮化物与清洗气体中的氯系气体反应,所生成的反应生成物在500°C以上的温度下气化被除去。而且，该方法无需形成1000°C以上的高温，因此不会引起晶片承载器的热变形。在反应室内的下部配置有清洗气体导入管，因此导入到反应室内的清洗气体不会冲击遮热部件而分流。因此，能够将清洗气体有效地利用到对污染部件的清洗上，除去装置内生成的反应生成物，向装置内导入非活性气体，并向装置外排出反应生成物的蒸气。
现介绍一种最新款的清洗装置：（VacuumBakeCleaner）
通过高温下GaN、AlN等沉积物与H2、CL2等洁净气体的反应，使得沉积物气化，从而最终达到去除目的。该设备用于去除附着在外延设备的托盘和零部件上的沉积物（GaN、AlN等），通过高温下GaN、AlN等沉积物与H2、CL2等洁净气体的反应，使得沉积物气化，从
而最终达到去除目的。采用洁净气体的干式清洗法，因此不需要湿法后道处理，可减少托盘和零部件的损伤，在不损伤托盘表面的SiC涂层和石英部件的条件下便可去除沉积物。
设备优点：
1，利用洁净气体进行干式清洗，减少对托盘造成的损伤，可有效去除沉积物的同时，相较于其他清洗方法损伤减少。
2，无需后道处理工序，无需处理废液。提高生产效率并降低运行成本。
3，全自动清洗系统，将托盘或零部件放入清洗炉后，只需一次开关操作即可开始清洗。
4，可对应大型托盘，外径为φ800mm的大型托盘，可同时清洗6个。
5，采用箱形腔体，节省空间、节能。
设备原理：
设备规格：
清洗效果：
虽然台湾厂家的设备也有用氢气，但浓度都是在4%左右。但是该款设备是用到100%的浓度的氢气，所以清洗后有很明显的效果差异。