(1)一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
(2)一种是电极与材料为非欧姆接触，主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印，分布位置。
另外封装过程中也可能造成正向压降低，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。
正向压降低的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而表现暗点，还有一种暗光现象是芯片本身发光效率低，正向压降正常。
2、难压焊
(1)打不粘：主要因为电极表面氧化或有胶
(2)有与发光材料接触不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层脱落为主。
(3)打穿电极：通常与芯片材料有关，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料(如高红，红外芯片)较GAP材料易打穿电极。
3、发光颜色差异
(1)同一张芯片发光颜色有明显差异主要是因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料采用量子结构很薄，生长是很难保证各区域组分一致。(组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长)。
(2)GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，但是由于人眼对这个波段颜色敏感，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现颜色偏差概念越小，故在M/T作业中有邻近选取法。
(3)GAP红色芯片有的发光颜色是偏橙黄色，这是由于其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光饱和，发光是开始变为橙黄色。
5、颜色偏移：LED芯片的颜色可能会发生偏移，导致显示出的颜色与预期不符。这可能是由于灯珠的颜色性能不稳定、电流控制问题或环境因素等引起的。
6、电路故障：LED芯片中的电路可能会出现故障，例如开路、短路或电路连接不良等情况，导致LED芯片无法正常工作。
1、发光效率低
虽然各厂家量产的封装后的白光LED出光效率都达到100lm/w以上，但是相比较于小尺寸的LED芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的LED芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。
2、电流扩散不均匀
对于大功率LED芯片而言，需要大的电流驱动(一般为350mA)，为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在P型层面得到均匀分布，大功率LED芯片由于芯片尺寸较大，同时P型层的电流很难在P型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。
3、光电特性不稳定
由于大功率LED芯片器件出光效率底下，大量光线被器件内部吸收，这些被吸收的光线在器件内部转换成热能，造成LED芯片结温的升高，结温的升高不但会造成光衰严，严重影响了LED芯片的寿命，同时温度的升高会导致芯片的蓝光波峰向长波长方向偏移(即红移)，造成芯片的发光波长和荧光粉的激发波长不匹配，也会造成显色性的降低。
4、产业化研究光效远低于实验室研发水平
国际上主流的LED芯片厂商，虽然实验室研发已到达较高的水平，但是产业化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是产业化不但要考虑到成本的需求同时还要兼顾生产工艺的复杂程度以及芯片良率的问题。
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