答：在PVD中，靶材是用来提供镀膜（film）的金属材料。
02
PVD制程原理是什么
答：在Target与wafer间加之高电位差，此时制程气体Ar在高位差下解离成Ar，又因Ar带正电被电场吸引而撞向Target，使target产生金属晶粒因重力作用而掉落至wafer形成film，此种工艺是PVD。
03
半导体中一般金属导线材质为何
答：钨线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)。
04
PVD中可以得到哪几种金属膜
答：铝(AL)，钛(Ti)，氮化钛(TiN)，钴(Co)。一般wafer进入PVD机台，必须镀上钛/氮化钛/铝/钛/氮化钛。五层金属，钴的功用为金属硅化物(silicide)。
05
钛(Ti)的功用为何
答：降低金属接触阻值。
06
氮化钛(TiN)的功用为何
答：（1）当作扩散阻障层(diffusionbarrierlayer)，阻障铝与氧化硅之间的扩散。
（2）当作粘着层(gluelayer)，钨与氧化硅附着力不好，在二者之间加入氮化钛可以增加彼此的粘着力。
（3）当作反反射层(ARClayer)，为了在微影技术制程中为达到高的分辨率，所以需一层抗反射层镀膜以减少来自铝的高反射率。
07
08
为何铝靶材需要添加少量的铜
答：电流在铝金属层移动时，铝原子会沿着晶粒界面而移动，若此现象太过剧裂，会导致金属线断路，添加少量的铜可以防止铝线断线。
09
既然添加铜可以防止铝尖峰现像，为何只添加0.5%
答：太多铜，会造成蚀刻困难(铜的氯化物不易挥发)。
10
为何PVD的靶材需要冷却
答：避免target表面温度过高，造成蒸镀现像，使得金属film的质量不稳定。
11
为何机台必须使用冷却水时，必须控制水质纯净
答：防止结垢，或绝缘。
12
为何制程气体管路必须加热？
答：防止制程气体冷凝为液体，影响制程。
13
何谓PM机台为何要定期PM
答：PM是预防保养，按周期对机台相应的Parts(备品)采取相应的维护或更换措施，为保持机台性能的稳定，防止制程良率下降，延长机台及Parts寿命。
(1)依时程而分，可分为月保养，季保养，年保养。
(2)依wafer数量而分，是为数量保养。
14
为何工程师做PM时，必须先冷却加热器(heater)至(roomtemp)适当的温度
答：为了工程师安全及机台安全。
15
为何工程师做PM时，chamber必须bakeout
答：为了排气，防止不纯气体进入film中，影响制程。
16
PVD与W-CVD在IC制造中扮演什么角色
答：铝与钨为金属层，连通device与封装的导线，在二者之间形成通路，电流得以畅通无阻。
17
Bakeout是什么
答：工程师做PM时，打开Chamber时，Chamber内部曝露在大气中，当工程师做完PM时，必须做Bakeout，加热Chamber，将附着在内部的水分子等气体赶走，如此一来可提高真空度。
18
PVD制程中，使用的气体为何
答：N2与Ar。
19
N2与Ar在PVD制程中，使用的目的是什么
答：Ar被电子离子化后，成为撞击target的子弹将TARGET的原子打下落在wafer上，N2的目的是氮化target的表面原子。
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答：（1）钝气，不易起化学变化。
（2）质量重(AMU40)，溅击效果好。
（3）价格便宜。
21
PVD的制程压力是什么
答：2~20mTorr。
22
PVD测机项目为什么
答：反射率(reflectivityindex)，厚度(thickness)，阻值(resistancesheet)，微粒(particle)，均匀度(uniformity)。
23
为何机台测漏使用氦气来检漏
答：(1)氦气在大气中的含量很低，避免误判。
(2)氦气渗透力强，很容易检漏。
(3)氦气为钝性气体，不易造成机台污染或腐蚀。
24
PVD制程中，镀膜之前为何需要预先去除原始氧化层
答：预先去除原始氧化层，让金属层之间电阻不会过大以及增加膜与衬底的结合力。
25
PVD为何使用DCpower
答：使用DCpower，再加上通一定的氩气（Argas），在真空室就会形成等离子体（电浆）。离子体中的离子撞击TARGET，将TARGET的原子打下落在wafer上而形成金属film。
26
为何机台必须使用冷却水
答：控制温度，以防温度太高，造成机台破坏。
27
Processkit是什么
答：在chamber内部形成遮敝，镀膜时可以防止膜镀在chamber内部，每次PM时将其卸下清洗或更换。