Al-Cu-Si铝硅铜：其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅.后来为了金属电荷迁移现象（Electromigration）故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移。
Alloy合金（ALSI）：半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。
Anneal回火：激活杂质、消除损伤
atoms：原子
Bake：烘烤，芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)
Softbake：软烤，其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力
Hardbake：预烤，又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻
BarrierLayer阻障层：为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW
Boat：晶舟
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)：为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质
USG：没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面，影响组件的特性。
BufferLayer缓冲层：通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si表面附着能力。
Chamber：真空室，反应室
AlBondPad:Createabondpadforpackagingpurposes
洁净室：又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用class表示等级（class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗）。
DepositionRate：沉积速率，表示薄膜成长快慢的参数。一般单位A/s
CopperLine：铜线
Die：晶粒，一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒
Dielectric介电材料：介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等
Diffusion扩散
DIWater去离子水
Drypump：干泵，主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气，所以可以单独使用
Electromigration：电子迁移，在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的
ETCH：蚀刻其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)
FourPointProbe：四点测针，是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。
FTIR：傅氏转换红外线光谱分析仪
GateValve：闸阀，用来控制气体压力的控制装置。
GateOxide：闸极氧化层
GrainSize：颗粒大小
Hillocks：小凸起
HPM：HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。
ILD：Inter-LayerDielectrics内层介电材料，第一层金属层与Si底材之间的介电层，我们常用的是BPSG.
IntrinsicStress：内应力
ExtrinsicStress：外应力
IonImplanter：离子植入机
IonSource：离子源
LPCVD：LowPressureChemicalVaporDeposition,即低压化学气相沉积。
LDD工艺(轻掺杂漏)：在漏极与沟道之间形成很一层很薄的轻掺杂区，降低漏极附近峰值电场强度，消弱热载流子效应。
Mask：光罩，在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻璃片上，这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩（Mask）；在离子植入或LOCOS氧化时，上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩（Mask），以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。
MFC：质流控制器
OCAP：OutofControlActionPlan，制程异常处理程序
OhmicContact：欧姆接触，金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面
PR：光阻（PhotoResist）
PVD：物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition）
TIM：TopInnerMagnet，顶部内磁铁
TOM：TopOuterMagnet，顶部外部磁铁
BIM：BottomInnerMagnet，底部内磁铁
BOM：BottomOuterMagnet，底部外部磁铁
ECP：电化学电镀（ElectrochemicalPlating）
ALD：原子层沉积（AtomicLayerDeposition）
WCVD：Tungsten(Wolfram)ChemicalVaporDeposition
MOCVD：Metal-organicChemicalVaporDeposition
PLD：PulsedLaserDeposition
IMD：IntermetalDielectric
RPC：ReactivePreclean
PinHole：针孔缺陷类型
CMP：ChemicalMechanicPolishing，化学机械研磨
Recipe：工艺程式
Reclaim：再生硅片，测试硅片上的粒子与晶层经过蚀刻与磨平程序，可重新回收卖给晶圆厂使用
Reflow：再回流Reliability：可靠性
RTP：快速热制程
Scanner：扫描装置
Silicide：金属硅化物，为金属舆硅的化合物
Salicide：自对准金属硅化物(Self-AlignedSilicide)
SEM：ScanningElectronMicroscope扫描式电子显微镜
Scrubber：刷洗机
SheetResistance：片电阻
SPC（StatisticalProcessControl）：统计，过程，控制英文的缩写，是一种质量管理方法
SPEC（Specification）：规范界限Spike：尖峰Void孔洞：是一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度。当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时，因为沉积角度不同等因素，导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，这样的话沉积的膜层将无法完全填入洞中，极有可能造成孔洞
STR：Stress，应力，对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力，称为'应力（stress）'.
REF：Reflect反射率
THK：Thickness薄膜厚度
RS：Resisitance电阻
PA：Particle颗粒
DN：DefectNotice缺陷通知报告
GOF：GoodnessOfFit拟合度
EDC：ElectronicDataCapture电子数据采集
SOI(SilicononInsulator)：超薄绝缘层上硅技术
TEOS：四乙基正硅酸盐，含有硅与碳、氢与氧的有机硅源，化学分子式是Si(OC2H5)4，其沸点较高，常压下约（169℃）。在CVD制程的应用上，TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅
热电偶（Thermocouple）：测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中，得到电压值，再将电压值转变为温度值。
Tungsten：钨
低真空（LowVacuum)760-1torr
中真空（MediumVacuum)1-10-3
高真空（HighVacuum)10-3-10-7
极高真空（UlteaHighVacuum)10-7~10-10
Uniformity：均匀性
Via：金属与金属之间的通道
Yield：良率，即合格率，合格的产品占总产品的比例。
Fabless：指没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式。Fabless公司负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包
Foundry：圆晶代工模式、专门负责生产、制造芯片，不负责芯片设计，可同时为多家设计公司提供服务
IDM：IntegratedDeviceManufacturer，指垂直整合制造工厂，是集芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合元件制造商，属于半导体芯片行业的一种运作模式
EPI：Epitaxy外延片
Lot：若干个晶圆组成的一个批次叫Lot
LOCOS(LocalOxidationofSilicon)：硅局部氧化工艺
NPW：非产品片的总称，包括:结构片、监控片（Monitor）、QC片、Season暖机片、Dummy片
Season片：机台启动后，投个Season片进行暖机
STI(ShallowTrenchIsolation)：浅沟槽隔离
OOC/OOS：针对规格或控制图的两对控制线
VMS：(virginmakeupsolution)
操作类：
Batch：若干个lot和NPW组成的集合
Hold：把片子锁住不让往后流片，执行此动作的系统是MES
splits：分批
Release：解锁，片子可以继续往后流
Futurehold：提前设置好片子要Hold在未来的哪个工序
issue：产线出现的问题
Run：设备正在Run,产品Lot
BKUP：Run_FoundryLot，设备正在Run,其他厂的Lot
TEST_CW：Run_NPW，设备正在Run,控挡片Lot:C、D、Y、Z、V
TEST：借机,DOE,SRC等，设备可供Run,但工程师通过向MFG借设备做工程实验/调整Recipe/或MFGfollowSRC…等
IDLE：闲置，设备可供Run,但因无WIP或其他间接物料可Run
SUSPEND：延缓，设备可供Run,MFG为了某些特殊原因而闲置,如Q-Time管控,空机等KeyLot…等）
MON_R：DailyMonitor，依据OI规定进行设备可靠性常规检查(DailyMonitor)
PM：预防保养，预防定期维护(维修保养)
MON_PM：PM后Monitor，预防定期维护后的可靠性检查(PM后Monitor)
DOWN：宕机，机台异常,无法正常生产
MON_DOWN：Down后Monitor，机台异常修复后的可靠性检查(Down后Monitor)
HOLD_ENG：PE异常确认，PE澄清,产品异常确认,停止设备Run货(Defect…)
WAIT_ENG：等待PE/EE处理，设备显示异常信息,等待工程部(PE/EE)处理
WAIT_MFG：等待MFG处理，等待制造部处理(PE/EE借机后,交回MFG)
FAC：Facility，因厂务的水/电/气/火…等异常引起Down机
CIM：IT，因MES/IT系统…等异常问题引起Down机
OFF：装机，停机
系统类：
SRC：splitruncard
RRC：recoverruncard
MES：ManufacturingExecutionSystem，生产执行系统，用于管理生产过程的IT系统，包括:对生产过程和物理设施的建模、过程监控和追溯等功能，对下连接EAP、横向对接WMS、SPC系统和物流系统、对上连接ERP系统，也会和OA系统对接
FMEA：FailModeEffectAnalysis
PRS：ProcessReleaseStandard
TRS：ToolReleasedStandard
STR：SpecialTestRequest
MSTR：MassSpecialTestRequest
T0：Tier0meanPre-hookandhookup
T1：Tier1meanshardwareinstallationandBKMtest
T2：Tier2meansstandardprocesstuning
T3：Tier3meanstogoqualificationlotorconditionrelease
组织会议类
OPmeeting：跨部门的生产会议
PP：生产计划
IE：工业工程师
MFG：制造部
YE：缺陷改善工程师
PE：工艺工程师，简称工艺
PIE：制程整合工程师
TD：技术研发部门
ECN：临时工程变更通知
DRB：DispositionReviewBoard，针对lot，比如超Spec了往下放就要开drb进行追踪
EAR：Eventabnormalreview:重大的品质事件
MRB：materialreviewboard，重大物料异常
Fab生产指标名词
PN（PriorNotice）：料号，不同供应商，不同材料参数的衬底会有不同的料号，和Rawmaterial一样的意思，站在供货方角度叫PN，站在收货方角度就叫原材料
Move(Stage,Step(m/c),Location)：晶片移动量
T/R(TurnRatio)：(在制品)周转率，每片晶片平均每天所跑过的Stage数
WaferOut(WaferStart-->QCInspection-->W/H)：晶片产出量，经由OQA检验合格由FAB出货的晶片数量
FAB_Yield：整厂良率，工厂的产出晶片良品数量与投入生产之晶片数量的比率
WaferAcceptanceTestYield：电性合格测试的合格率
Move/ManufacturingAssistant-Hour：每人工小时的晶片移动量(生产力)，每名MA每工作小时平均所产生的晶片移动量
OTDO(On-TimeDeliveryforOrder）：工厂准时交货率，工厂依照PC&IE订定的出货日程提早或准时出货的能力
OTDV(On-TimeDeliveryforVolume)：工厂产量达成率，工厂依照P&IE订定的每月交货量出货的能力
Controlwaferusage：控片使用率，平均每生产一片晶片所需使用的控片数量
Autooperationratio：自动操作比例，系统预约operation的比例
Samplingratio：抽样率，产品量测之比例
WPH（WaferPerHour）：机台每小时晶片产出量
Effi%loss：设备产出效能损失，设备的实际产出与理论产出的差异
Rework（RWK）：产品重工率，反映产品按照既定recipe、机台产出既定规格产品之水平
F-CLIP（Fab-ConfirmedLineItemPerformance）：工厂准时交货率，工厂依照生产企划部订定的出货日程提早或准时出货的能力
F-CVP（Fab-ConfirmedVolumePerformance）：工厂产量达成率，工厂依照生产企划部订定的每月交货量出货的能力
AOQ（AverageOutgoingQuality）：平均出货水准，无暇疵产品的比率