1、1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH
3、21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽
4、，例如POLYCD为多晶条宽。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。37.Circuitdesign：电路设计。
5、一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中
7、fectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53.Depletionwidth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54.Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexp
8、eriments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。57.develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）58.developer：）显影设备；）显影液59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于
9、硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。63.dielectric：）介质，一种绝缘材料；）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。64.diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66.
10、drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67.dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68.effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70.epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。71.equipment
13、灰区92.grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪93.hardbake：后烘94.heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95.high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97.host：主机98.hotcarriers：热载流子99.hydrophilic：亲水性100.hydrophobic：
14、疏水性101.impurity：杂质102.inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体103.inertgas：惰性气体104.initialoxide：一氧105.insulator：绝缘106.isolatedline：隔离线107.implant:注入108.impurityn:掺杂109.junction:结110.junctionspikingn:铝穿刺111.kerf:划片槽112.landingpadn:PAD113.lithographyn制版114.ma
15、intainability,equipment:设备产能115.maintenancen:保养116.majoritycarriern:多数载流子117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118.materialn:原料119.matrixn1:矩阵120.meann:平均值121.measuredleakraten:测得漏率122.mediann:中间值123.memoryn:记忆体124.metaln:金属125.nanometer(nm)n：纳米12
16、6.nanosecond(ns)n：纳秒127.nitrideetchn：氮化物刻蚀128.nitrogen(N2)n：氮气，一种双原子气体129.n-typeadj：n型130.ohmspersquaren：欧姆每平方:方块电阻131.orientationn：晶向，一组晶列所指的方向132.overlapn：交迭区133.oxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134.phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版
17、136.photomask,negativen：反刻137.images：去掉图形区域的版138.photomask,positiven：正刻139.pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140.plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
18、143.pnjunctionn：pn结144.pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145.polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146.polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。148.polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149.probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆
19、片和检测设备。150.processcontroln:过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。151.proximityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。152.purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。153.quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。154.quartzcarriern:石英舟。155.randomaccessmemory(RAM)n:随机存储器。156.randomlogi
21、。164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。165.scribelinen:划片槽。166.sacrificialetchbackn:牺牲腐蚀。167.semiconductorn:半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169.sideload:边缘载荷，被弯曲后产生的应力。170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是蓝宝石衬
22、底硅的原片171.smallscaleintegration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。172.sourcecode:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。173.spectralline:光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。174.spinwebbing:旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。175.sputteretch:溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。17
24、落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。184.Taylortray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。185.temperaturecycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。186.testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。187.thermaldeposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。188.thinfilm:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。189.titanium(Ti):钛。190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有
25、毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。192.tungsten(W):钨。193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。194.tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(
26、Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。196.watt(W):瓦。能量单位。197.waferflat:从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。198.waferprocesschamber(WPC):对晶片进行工艺的腔体。199.well:阱。200.wetchemicaletch:湿法化学腐蚀。201.trench:深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。202.via:通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电
27、连接。203.window:在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。204.torr:托。压力的单位。205.vaporpressure:当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。206.vacuum:真空。207.transitionmetals:过渡金属ACAAnisotropicConductiveAdhesive各向异性导电胶ACAFAnisotropicConductiveAdhesiveFilm各项异性导电胶膜AlAluminium铝ALIVHAllInner
28、ViaHole完全内部通孔AOIAutomaticOptialInspection自动光学检查ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit专用集成电路ATEAutomaticTestEquipment自动监测设备AUGold金BCBBenzocyclohutene,BenzoCycloButene苯丙环丁烯BEOBerylliumOxide氧化铍BISTBuilt-InSelf-Test(Function)内建自测试(功能)BITBipolarTransistor双极晶体管BTAB
29、BumpedTapeAutomatedBonding凸点载带自动焊BGABallGridArray焊球阵列BQFPQuadFlatPackageWithBumper带缓冲垫的四边引脚扁平封装C4ControlledCollapsedChipConnection可控塌陷芯片连接CADComputerAidedDesign计算机辅助设计CBGACeramicBallGridArray陶瓷焊球阵列CCGACeramicColumnGridArray陶瓷焊柱阵列CLCCCeramicLeadedChipCarri
30、er带引脚的陶瓷片式载体CMLCurrentModeLogic电流开关逻辑CMOSComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor互补金属氧化物半导体COBChiponBoard板上芯片COCChiponChip叠层芯片COGChiponGlass玻璃板上芯片CSPChipSizePackage芯片尺寸封装CTECoefficientofThermalExpansion热膨胀系数CVDChemicalVaporDepositon化学汽相淀积DCADirectChipAttach
31、芯片直接安装DFPDualFlatPackage双侧引脚扁平封装DIPDoubleIn-LinePackage双列直插式封装DMSDirectMetallizationSystem直接金属化系统DRAMDynamicRandomAccessMemory动态随机存取存贮器DSODualSmallOutline双侧引脚小外形封装DTCPDualTapeCarrierPackage双载带封装3DThree-Dimensional三维2DTwo-Dimensional二维EBElectronBeam电子束ECLE
32、mitter-CoupledLogic射极耦合逻辑FCFlipChip倒装片法FCBFlipChipBonding倒装焊FCOBFlipChiponBoard板上倒装片FEMFiniteElementMethod有限元法FPFlatPackage扁平封装FPBGAFinePitchBallGridArray窄节距BGAFPDFinePitchDevice窄节距器件FPPQFPFinePitchPlasticQFP窄节距塑料QFPGQFPGuard-RingQuadFlatPackage带保护环的
33、QFPHDIHighDensityInterconnect高密度互连HDMIHighDensityMultilayerInterconnect高密度多层互连HICHybirdIntegratedCircuit混合集成电路HTCCHighTemperatureCo-FiredCeramic高温共烧陶瓷HTSHighTemperatureStorage高温贮存ICIntegratedCircuit集成电路IGBTInsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极晶体管ILBInner-LeadBon
34、d内引脚焊接I/OInput/Output输入/输出IVHInnerViaHole内部通孔JLCCJ-LeadedChipCarrierJ形引脚片式载体KGDKnownGoodDie优质芯片LCCLeadlessChipCarrier无引脚片式载体LCCCLeadlessCeramicChipCarrier无引脚陶瓷片式载体LCCPLeadChipCarrierPackage有引脚片式载体封装LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示器LCVDLaserChemicalVaporDeposi
35、tion激光化学汽相淀积LDILaserDirectImaging激光直接成像LGALandGridArray焊区阵列LSILargeScaleIntegratedCircuit大规模集成电路LOCLeadOverChip芯片上引线健合LQFPLowProfileQFP薄形QFPLTCCLowTemperatureCo-FiredCeramic低温共烧陶瓷MBGAMetalBGA金属基板BGAMCAMultipleChannelAccess多通道存取MCMMultichipModule多芯片组件MCM
36、-CMCMwithCeramicSubstrate陶瓷基板多芯片组件MCM-DMCMwithDepositedThinFilmInteconnectSubstrate淀积薄膜互连基板多芯片组件MCM-LMCMwithLaminatedSubstrate叠层基板多芯片组件MCPMultichipPackage多芯片封装MELFMetalElectrodeFaceBonding金属电极表面健合MEMSMicroelectroMechanicalSystem微电子机械系统MFPMiniFlatPackage微型扁平封装
37、MLCMulti-LayerCeramicPackage多层陶瓷封装MMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit微波单片集成电路MOSFETMetal-Oxide-SiliconField-EffectTransistor金属氧化物半导体场效应晶体管MPUMicroprocessorUnit微处理器MQUADMetalQuad金属四列引脚MSIMediumScaleIntegration中规模集成电路OLBOuterLeadBonding外引脚焊接PBGAPlasticBGA塑封BGA
38、PCPersonalComputer个人计算机PFPPlasticFlatPackage塑料扁平封装PGAPinGridArray针栅阵列PIPolymide聚酰亚胺PIHPlug-InHole通孔插装PTFPlasticLeadedChipCarrier塑料有引脚片式载体PTFPolymerThickFilm聚合物厚膜PWBPrintedWiringBoard印刷电路板PQFPPlasticQFP塑料QFPQFJQuadFlatJ-leadedPackage四边J形引脚扁平封装QFPQuadF
39、latPackage四边引脚扁平封装QIPQuadIn-LinePackage四列直插式封装RAMRandomAccessMemory随机存取存贮器SBBStud-BumpBonding钉头凸点焊接SBCSolder-BallConnection焊球连接SCIMSingleChipIntegratedModule单芯片集成模块SCMSingleChipModule单芯片组件SLIMSingleLevelIntegratedModule单级集成模块SDIPShrinkageDualInlinePackage窄节距双列直插式封装SEMSweepElectronMicroscope电子扫描显微镜SIPSingleIn-LinePackage单列直插式封装SIPSystemInaPackage系统级封装SMCSurfaceMountComponent表面安装元件SMDSurface