半导体中有两种载流子，电子和空穴，其对应的运动也有两种，扩散运动和漂移运动，分别形成扩散电流和漂移电流。
扩散运动：外电场的作用；漂移运动：浓度差
二.PN结
1.工艺过程
2.形成过程及原理
一般情况，硅的势垒电压为0.5~0.7V，锗的势垒电压为0.2~0.3V，温度升高1℃，势垒电压降低0.25mV。
3.特性
（1）正向特性
（2）反向特性
（3）伏安特性
（4）击穿特性
分为电击穿和热击穿；
雪崩击穿：阻挡层电压增加，少子漂移通过阻挡层的时候被加速，动能增加，与晶格原子碰撞，把束缚的共价键中的价电子碰撞出来，产生电子空穴对，新的电子空穴对继续碰撞中性原子继续发生碰撞，此过程像雪崩一样。
齐纳击穿：齐纳击穿发生在重掺杂的PN结当中，其阻挡层很薄，强电场可以将阻挡层内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，产生电子空穴对，形成场制激发产生大量的载流子，使PN结反相电流急剧增大。其击穿电压较低。击穿电压大于7V，为雪崩击穿，小于5V，齐纳击穿，5V~7V，两者都有。
（5）温度特性
温度上升，正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
（6）电容特性
势垒电容：P区和N区夹着高阻的耗尽区，类似于平板电容器，电容随外加电压的大小而变化。
扩散电容：外加电压引起电荷量的变化而形成的电容效应。
三.晶体二极管
1.晶体二极管的特性
（1）正相特性
（3）温度特性
（4）反向击穿性
2.二极管的主要参数
直流参数：
（1）最大整流电流IF：长期运行时允许通过的最大电流
（2）反向击穿电压VBR：二极管反向击穿时的电压
（3）最大反向工作电压VRM：工作时允许的最大电压，一般为击穿电压的一半。
（4）反向电流IR（反向饱和电流Is）：二极管未击穿时候的反向电流，其值越小说明单向导电性越好。
（5）直流电阻RD：直流电压与电流之比，其值是一个变量，静态在工作点斜率的倒数。
交流参数：
（2）结电容Cj：势垒电容和扩散电容总效果。
（3）最高工作频率fM：超过此频率，单向导通性恶化。
2.二极管的模型
（1）理想模型：正向偏置电压降为0，反向偏置电阻无穷大。
（2）恒压降模型：硅管0.7V,锗管0.3V
（3）折线模型：折线代替工作情况。
（4）小信号模型：
2.几种特殊的二极管
（1）齐纳二极管：二极管的击穿电压在电流和温度较大的变化中呈现常数。
Rz动态电阻，其值越小，稳压效果越好！
（2）变容二极管
（4）发光二极管
（5）光电耦合器
四.晶体二极管的基本电路
（1）整流电路
（2）限幅电路
（3）稳压电路
（4）滤波电路
（5）滤波电路
五.电路仿真
1.全波整流电路。输出峰值12V，负载提供电流120mA,输出纹波小于5%，输入电压120V,频率60Hz.