图1.D-MWCNT的静电分布和形貌以及分子水平上的理论界面耦合。a)D-CNT的静电电位标测图像。b)D-MWCNT与Spiro-OMeTAD之间的静电偶极矩相互作用示意图。c)MWCNT通过球磨形成D-MWCNT的示意图。d-f)原始MWCNT(d)、D-MWCNT聚集体(e)和单个D-MWCNT(f)的扫描电子显微镜图像。
图2.D-MWCNT和Spiro-OMeTAD在分子水平上的界面偶联。a)C1s芯线的XPS和D-MWCNT的b)O1s磁芯线。c)Spiro-OMeTAD的FTIR,有和没有D-MWCNT,插图详细描绘了与纯D-MWCNT相比,向高频的特征峰偏移。d)带或不带D-MWCNT的Spiro-OMeTAD的CPD映射图像。e)带或不带D-MWCNT的Spiro-OMeTAD的紫外光电子能谱。f)Spiro-OMeTAD薄膜的电斜率依赖性孔迁移率。
图3.HTL和石墨烯在纳米尺度上的界面耦合。a,b)C-AFM图像,c,d)原子力显微镜高度图像,e,f)Spiro-OMeTAD薄膜的水接触角。g,h)使用Spiro-OMeTADHTL和(h)D-MWCNT修饰的C-PSC的伪彩色横截面SEM图像。
图5.MC-PSC的光伏性能和运行稳定性。a)电流密度-电压曲线。b)入射光子-电流效率谱。c)原始Spiro-OMeTADHTL和D-MWCNT修饰Spiro-OMeTADHTL的MC-PSCs的稳定功率输出。d)封装的MC-PSC器件在连续一次太阳光照射下的工作稳定性,并与银基PSC作比较。
综上所述,MWCNT的缺陷工程是为了调整C-PSCs的电学和界面性质,以最大限度地减少由于电荷转移动力学迟缓而造成的能量损失,这是一个长期阻碍C-PSCs商业化的严重问题。一方面,D-MWCNT具有用于电荷传输的一维超通道和丰富的边缘缺陷与Spiro-OMeTAD在分子水平上耦合,使得HTL的导电性提高了一个数量级,并使界面能级排列得到很好的调制,以促进电荷转移。另一方面,由于D-MWCNT诱导的表面更加粗糙,D-MWCNT定制的HTL与石墨烯之间形成了无缝连接,建立了纳米尺度的二次耦合。由于双界面耦合的整体优势,缓慢的电荷转移或非辐射复合所造成的能量损失已大大减少。
采用D-MWCNT:Spiro-OMeTADHTL制备的MC-PSCs的PCE达到22.07%,认证PCE达到21.9%,这是迄今为止C-PSC的最高PCE记录,与相同工艺条件下的银基PSCs相当。此外,未封装的MC-PSC器件在连续1个太阳光照下具有超过800小时的显著工作耐久性。这项工作为进一步缩小C-PSC与传统的Ag/Au基PSC之间的相变电导率差距提供了一个很好的策略,为推进C-PSC的大规模商业化铺平了一条新的道路。(文:SSC)
参考资料下载
山海携手,科创陇原——科易网助力甘肃科投集团成功举办科技成果转化能力提升培训班