1、清洗工艺在清洗设备中主要以湿法工艺为主
根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线。
湿法清洗是针对不同的工艺需求，采用特定的化学药液和去离子水对晶圆表面进行无损伤清洗，以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质，可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手段；
干法清洗是指不使用化学溶剂的清洗技术，主要包括等离子清洗、超临界气相清洗、束流清洗等技术。
目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占芯片制造清洗步骤数量的90%以上。
2、未来技术发展及迭代趋势
干法清洗主要是采用气态的氢氟酸刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在28nm及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。
晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，构建清洗方案。
未来清洗设备的湿法工艺与于法工艺仍将并存发展，均在各自领域内向技术节点更先进、功能多样化、体积小、效率高能耗低等方向发展，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势。
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