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《YS/T1060-2015硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定气相色谱法》是一项针对半导体材料制备过程中所需高纯度三氯氢硅内杂质检测的标准。该标准规定了使用气相色谱技术来定量分析三氯氢硅样品中存在的其他类型氯硅烷（如二氯硅烷、四氯化硅等）的具体方法。
标准首先明确了适用范围，指出其适用于评估用于生产单晶硅或硅薄膜沉积工艺中的原料——三氯氢硅的质量。通过精确控制这些杂质水平，可以有效保证最终产品的性能与质量。
接下来，文件详细描述了实验所需的仪器设备及其操作条件，包括但不限于气相色谱仪的选择、柱子类型及规格、载气种类与流速设定等参数。同时，对于样品前处理步骤也有具体指导，比如如何进行稀释以适应进样要求等。
在实际测试过程中，需要按照指定程序准备标准溶液和待测样品，并将两者分别注入气相色谱系统中。通过比较两者之间特定组分峰面积大小，结合已知浓度的标准曲线，即可计算出样品中目标化合物的确切含量。
....
ICS7704030
H17..
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T1060—2015
硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的
测定气相色谱法
Determinationofotherchlorosilaneintrichlorosilaneforsiliconeqitaxy—
Gaschromatographicmethod
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC243)。
本标准起草单位中锗科技有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司昆明冶研新材料股份有限
:、、
公司
。
本标准主要起草人刘新军刘英杰郑华荣柯尊斌赵建为孔令群伍永胜张云晖杨红燕
:、、、、、、、、。
Ⅰ
1范围
本标准规定了硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷包括二氯二氢硅四氯化硅含量的气相色谱测定
(、)
方法
本标准适用于硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷包括二氯二氢硅四氯化硅含量的测定测定下
(、)。
限为
0.002%。
2方法提要
三氯氢硅样品在惰性气体氮气或氩气保护下注入气相色谱仪各组分经色谱柱分离后用热导池
(),,
检测器检测用峰面积归一化法计算
,。
3试剂
31载气氢气体积分数
.,≥99.999%。
32惰性气体体积分数
4仪器
41气相色谱仪配有热导池检测器和相应的色谱工作站检测限为
.:(TCD),0.001%。
42色谱柱不锈钢填充柱固定液为规格为或其他等效色谱柱
.:,25%DC-550,3mm×2.5m,。
43微量注射器
.:10μL。
5干扰因素
51样品宜置于冰箱中冷冻保存防止样品挥发损失
.,。
52室内湿度应控制在以下防止环境湿度对样品的影响
.40%,。
53惰性气体操作箱内的空气应用干燥高纯惰性气体如氮气置换干净否则样品水解影响测试
.();,
结果
6分析步骤
警告移取三氯氢硅样品时要防止样品泄露建议在惰性气体保护下转移样品并佩戴好防护
:,。,
用品
61准备
.
按照仪器操作规程开启气相色谱仪并设定仪器工作参数待基线平稳后开始进样分析