3、下独特性能：,通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率。温度可明显地改变半导体的电导率。即热敏效应光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生电动势，这就是半导体的光电效应。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体技术的发现应用，使电子技术取得飞速发展，,11,2.本征半导体与杂质半导体、PN结,（1）本征半导体：天然的硅和锗提纯后形成单晶体就是一个半导体，称为本征半导体。本征半导体中的载流子浓度很小，导电能力较弱，且受温度影响很大，不稳定，用途有限。（2）杂质半导体、PN结：如果在本征半导体中掺入微量杂质（掺杂），其导电性能将发生显著变化，如在纯硅中掺入少许的砷或磷（最外层有五个电子），就形成N型半导体；掺入少许的硼（最外层有三个电子），就形成P型半导体。P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在半导体的局部分别掺入浓度较大的三价或五价杂质，使其变为P型或N型半导体，在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结，而PN结就是构成各种半导体器件的基础，最简单的一个PN结就是二极管
5、、分压。主要参数：阻值及误差、额定电压、额定功率等。电阻的串并联及计算：串联：RR1+R2+R3+分压作用并联：分流作用常用计算公式：串联各电阻的电压与电阻成正比。也就是说，大电阻分到高电压，小电阻分到小电压。两个电阻并联时，总电流为两分支电流之和。电流的分配与电阻大小成反比。,16,4.电阻的测量：一般用万用表、兆欧表、平衡电桥等电阻测量一般不能带电测量。在测量半导体（二极管、三极管）、电容等有极性的器件时，因有正向、反向之分，所以万用表在电阻档时：“黑”表笔为正极，“红”表笔为负极。兆欧表一般用于测量阻值较大的绝缘电阻。阻值较小电阻的精确测量也有很多种方法，平衡电桥测量是较常用的一种（高试常用），有直流电桥和交流电桥。,5.电阻的分类及应用：按阻值特性：固定电阻、可调电阻按制造材料：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、水泥电阻、陶瓷电阻、半导体电阻等。按安装方式：插件电阻、贴片电阻。,17,5.特种电阻(敏感电阻)常识：,热敏电阻：是一种对温度极为敏感的电阻器，分为正温度系数（阻值随温度升高而增大）和负温度系数（阻值随温度升高而降低）电阻器。应用举例：如
7、的作用。,20,二、电容,1.电容器结构原理：在电子电路中，电容器是必不可少的电子器件；在电力生产中，电力电容器也是广泛应用。简单地说，电容器就是一种储存电荷的容器，他不消耗能量。电容器通常简称为电容，用字母“C”表示。其基本结构是由两片靠得较近的金属片，中间隔以绝缘物质而组成，两金属片为电容得极板，中间的绝缘物质为介质，电容器的电容等于电容器的带电荷量，平板电容器的电容与极板面积成正比，与极间距离成反比。,21,一般规定把电容器外加1V直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。电容的基本单位为法拉（F），还有微法（F）、纳法（nF）、皮法（pF），因法拉单位较大，实际不常用，实际常用的是微法、皮法。其换算关系：1法拉（F）=微法（F）1微法（F）=纳法（nF）=皮法（pF）,2.电容器的基本性质、作用：基本性质：简单地说就是隔直流通交流，即对直流呈现电阻无穷大，相当于开路；对交流呈现的电阻力受交流电频率影响，即相同一电容器对不同频率的交流电呈现不同的容抗:,22,电容器在电路中主要作用有：整流电路平滑滤波、电源电路的退耦滤波、交流信号旁路、交流信号耦合（隔直
8、）、与电阻电感构成振荡、谐振回路、延时电路等等。电子电路中需要用到各种各样的电容器，它们在电路中分别起着不同的作用。电力电容器的主要应用有：无功补偿、电容式电压互感器、阻波器、载波耦合电容器、油开关触头保护电容器等等。,小容量的电容，通常在高频电路中使用；大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。电解电容为有极性电容，分正、负极，一般电源电路的低频滤波均采用电解电容，其正向漏电流较小，而反向漏电流较大，所以在电路中要注意极性不能接反，否则会因漏电流大引起爆炸损坏。,23,电容的充放电：把电容器的两个电极分别接在电源的正、负极上，过一会儿把电源断开，两个引脚间仍然会有残留电压，这是因为电容器储存了电荷，电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。而电容器储存的电荷向电路释放的过程，称为电容器的放电。,电容器的充电和放电就形成电容电流，电容电流与电容和端电压的变化率成正比。只有加在电容两端的电压发生变化时，电容才有电流通过。电容器储藏的电场能量与端电压的平方成正比：,24,充电过程分析：开关合闸瞬间，过渡过程，呈指数规律。,25,放电过程分析：其中称为电路充放