Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析半导体光电

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5.非晶过渡层Si基半导体材料键合及键合Ge/Si近红外探测器的研究本文将创新性的在Ge/Si键合界面引入一层非晶Ge(a-Ge)过渡层,围绕如何实现高质量Si基Ge薄膜的智能剥离、降低Ge/Si p-i-n探测器暗电流和建立Ge/Si单光子探测器的理论模型展开相关工作,具体工作内容和结果如下:1.研究了磁控溅射生长条件对a-Ge表面粗糙度(RMS)和亲水性的影响,在Si和Ge衬底上获得了极度平整且https://wap.cnki.net/touch/web/Dissertation/Article/10384-1019117536.nh.html
6.Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究暗计数 单光子探测器 Ge/Si 理论研究https://cpfd.cnki.com.cn/Article/CPFDTOTAL-NJDZ201606002039.htm
7.锗/硅,Ge/Si,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典Ge Si solid solution 由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格3种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳电池,其转换效率已达14.4%(理论值为20%)。结晶形锗硅固溶体分为单晶和多晶,主要用作温差电材料、红外和核辐射探测器材料。用作温差电材料的锗硅固溶体是http://www.dictall.com/indu/031/030338696EE.htm
8.铟镓砷InGaAs光电二极管探测器2.2um扩展型GPDGAP2000/2.2光电探测器 子分类 光电探测器 MCT碲镉汞探测器 子分类 MCT碲镉汞探测器 碲镉汞 MCT(HgCdTe) 非冷却 红外光伏/光电导多通道象限探测器 1-12um 碲镉汞超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs 中红外量子阱QWIP超快探测器 5um 26.5GHz 中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65umhttp://microphotons.cn/?a=cpinfo&id=1621
9.EVK2CP/600.71/L/REPC无液压站EMG探测头技术文章在可见光波段方面,到二十世纪50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTehttps://www.hbzhan.com/st715926/article_1296973.html
10.锗探测器GePhotodiodes?High Linearity > 10 dBm ?Multiple Lens Selection (Biconvex, Planoconvex, or Ball) ?Optical Filters (Neutral Density and Bandpass) ?Single Stage and Dual Stage Thermoelectric Cooling ?Quadrant Photodiodes ?Two-Color (Si/Ge) Sandwich Photodiodes http://www.qoptronics.com/page73?article_id=662
11.雪崩光电探测器雪崩光电探测器的材料 1)Si Si材料技术是一种成熟技术,广泛应用于微电子领域,但并不适合制备目前光通信领域普遍接受的1.31mm,1.55mm波长范围的器件。 2)Ge Ge APD虽然光谱响应适合光纤传输低损耗、低色散的要求,但在制备工艺中存在很大的困难。而且,Ge的电子和空穴的离化率比率( )接近1,因此很难制备出高性能的http://www.360doc.com/content/13/1003/18/12109864_318804022.shtml
12.光纤通信技术进展AET在长波长(InGaAsF/InP)方面的研制工作早已开始进行,目前也有少量商品。可以断言,垂直腔面发射激光器将在接入网、局域网中发挥重大作用。 3. 窄带响应可调谐集成光子探测器 由于DWDM光网络系统信道间隔越来越小,甚至到0.1nm。为此,探测器的响应谱半宽也应基本上达到这个要求。恰好窄带探测器有陡锐的响应谱特性,能够http://m.chinaaet.com/article/24328