互连导线：在最早的CMOS工艺中，铝是主要的互连材料。
电极和接触：与硅或其他材料形成良好的欧姆接触。
钨(W)：
接触填充：用于填充与活性硅区域的接触孔。
局部互连：在某些工艺中，钨用作垂直或水平的局部互连。
屏敝层：用于隔离铝或铜与硅之间，防止金属与硅的扩散。
粘附层：提高金属与下层之间的附着力。
栅电极：在某些金属栅技术中使用。
银(Ag)：导电浆料：用于某些先进的封装技术。电镀：电镀锡银合金镍(Ni)：硅化物形成：与硅反应形成镍硅化物，用于某些接触应用。磁性金属：被广泛用于磁性应用，如磁头、磁性屏蔽和磁性核心材料。
编辑：黄飞
原文标题：常见的芯片金属材料汇总
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