（报告出品方/分析师：东方证券刘洋李一冉孟宪博滕朱军）
溅射靶材是溅射法制备薄膜的主要材料之一。
溅射工艺是制备电子薄膜的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集而形成高速离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面。
被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。
从结构上看，靶材主要由“靶坯”和“背板”两部分构成。其中靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，涉及高纯金属、晶粒取向调控。
背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低，因此溅射靶材需要在专用的机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境，因此背板也需要具备良好的导电、导热性能。
磁控溅射技术优势突出，推动溅射靶材需求不断提升，溅射靶材已成为目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。
目前行业内主流镀膜工艺为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种，其中PVD方法具体来看包括溅射和蒸镀两类，CVD方法则包括化学气相沉积和原子层沉积两类。
溅射镀膜工艺则凭借着其可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点发展迅速，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，因此，对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，溅射靶材亦已成为目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。
（一）分类方式：按应用可分为半导体靶材、平板显示靶材、太阳能电池靶材、记录存储靶材等靶材按应用可分为半导体靶材、平板显示靶材、太阳能电池靶材、信息存储靶材。
靶材制备位于产业链的中游，从产业链来看，靶材上游原材料材质主要包括纯金属、合金以及陶瓷化合物三类。
下游应用市场则较为广泛，但整体来看主要集中在平板显示、信息存储、太阳能电池、半导体四个领域，四大板块约合占比97%。
此外根据其形状、材质不同，溅射靶材也有多种分类方式：
1）按形状分类：可分为长靶、方靶、圆靶和管靶。
其中常见的靶材多为方靶、圆靶，均为实心靶材。
近年来，空心圆管型溅射靶材由于具有较高的回收利用率，也在国内外得到了一定推广。
目前，为了提高靶材的利用率，国内外都在推广可围绕固定的条状磁铁组件旋转的空心圆管型溅射靶材，此种靶材由于靶面360°都可被均匀刻蚀，因而利用率可由通常的20%～30%提高到75%～80%。
2）按材质，可分为金属靶材（纯金属铝、钛、铜、钽等）、合金靶材（镍铬合金、镍钴合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）；
（二）行业现状：全球靶材市场稳步增长，日美在高端领域优势明显
1、行业规模：
2、产品结构：
与全球靶材市场结构相比，我国靶材市场结构中平板显示靶材与半导体靶材比例相对较高，记录媒体靶材与太阳能电池靶材比例相对较低。
据测算，2020年全球靶材结构中平板显示靶材占比约39%、记录媒体靶材占比约33%、太阳能电池靶材占比约17%、半导体靶材占比约8%。
我国靶材市场结构中平板显示靶材占比约48%、记录媒体靶材占比约31%、太阳能电池靶材占比约9%、半导体靶材占比约约9%。与全球靶材市场结构相比，我国靶材市场结构中平板显示靶材与半导体靶材比例相对较高，记录媒体靶材与太阳能电池靶材比例相对较低。
3、竞争格局：全球靶材市场呈寡头竞争格局，日美在高端溅射靶材领域优势明显。
目前，全球溅射靶材市场主要有四家企业，分别是JX日矿金属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯，市场份额分别为30%、20%、20%和10%，合计垄断了全球80%的市场份额。
其中美国、日本跨国集团产业链完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，具备规模化生产能力，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展，在中高端半导体溅射靶材领域优势明显。
国内溅射靶材主要应用于中低端产品，但部分靶材生产企业已经逐渐突破关键技术门槛，国产铝、铜、钼等靶材逐渐崭露头角。
我国溅射靶材产业起步较晚，目前具备规模化生产能力和较强研发实力的企业较少，溅射靶材主要应用于中低端产品。
但近年来随着国家政策的鼓励与资金的支持，部分企业已经突破了关键技术门槛，国产铝、铜、钼等靶材逐渐崭露头角。
我国溅射靶材行业主要上市公司有江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技。
有研新材：主要生产半导体靶材。
已实现镍铂、钴、钨、铜等十余款12英寸高纯金属溅射靶材产品的关键技术突破，多款产品通过中芯国际、长江存储以及新加披、韩国等国内外高端集成电路厂商验证，并批量供货，客户覆盖中芯国际、大连intel、台积电、联电、北方华创等芯片制造和设备企业；公司大尺寸靶材占比持续增加，8-12英寸靶材占比已达到靶材整体销量的三分之二，其中12英寸靶材销售数量较2019年增长115%；2020年公司先进封装用高纯靶材销售量继续保持全国领先。
江丰电子：靶材业务多元化扩展，产品在半导体、太阳能光伏和面板领域均有覆盖。
主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，主要应用于半导体（主要为超大规模集成电路领域）、平板显示、太阳能等领域。在半导体领域，公司已成为台积电、SK海力士、中芯国际、联华电子等厂商的供应商；在平板显示领域，公司已成为京东方、华星光电等全球知名面板厂商的供应商。
隆华科技：在平面显示靶材行业处于国内领先地位。
拥有丰富靶材产品系列组合，四丰电子和晶联光电分别在钼靶和ITO靶材业务均属于行业龙头，同时在钼合金靶材和铜靶材等产品市场推广也取得积极进展。四丰电子用户包括京东方、华星光电、天马微电子等企业，覆盖了国内主要使用钼靶材的企业，且市场占有率越来越高，经过多年研发，公司大尺寸宽幅钼靶已开始批量供货，成为了新的增长点。
阿石创：集镀膜材料研发、生产、销售等为一体的综合性平板显示镀膜材料企业。
阿石创在面板领域主要生产钼、铝、铜、钛及ITO靶材，产品除面板、触控外还应用于光学器件、太阳能光伏和汽车/建筑玻璃镀膜等领域。开拓了华星光电、彩虹光电、中电熊猫等客户。产品远销日本、美国、德国、韩国等国家。
（三）行业壁垒：拥有技术、客户双重壁垒，行业护城河明显
1、技术壁垒：靶材制造和溅射镀膜技术要求较高，五大核心技术铸牢行业护城河。
高纯溅射靶材属于技术密集型产业，对生产技术、机器设备、工艺流程和工作环境都提出了非常严格的要求。
通常来看，溅射靶材生产过程可分为金属提纯、靶材制造、溅射镀膜、终端应用四个环节：靶材制造环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。
靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理来控制晶粒、晶向等关键指标，再经过水切割、机械加工、金属化、超生测试、超声清洗等工序。
溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。对于难熔金属，也可采用熔炼法。
溅射镀膜环节：溅射机台长期被美国、日本等跨国集团垄断。
在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断。
具体来看，镀膜设备大体可分成真空形成系统、发射源和沉积系统、沉积环境控制系统、监控系统、传动机构系统5部分，但目前国产供应商多集中在中低端产品，中高端市场占比极小。
如发射源和沉积系统，尽管国内有能力制作热蒸发系统，但普遍使用的电子枪系统和溅射电源设备依然依赖进口，而在RF离子源方面，已有国内企业打破技术封锁成功研发出高端国产设备。
除靶材制造和溅射镀膜环节外，超高纯金属提纯技术也具有较高技术壁垒。
尤其是先进半导体等高端制造行业所需金属纯度在5N5甚至6N及其以上。
单纯的金属提纯无法满足靶材要求，而超高纯铜、超高纯铝等核心技术多掌握在霍尼韦尔、日矿、东曹等美、日企业手中，这些巨头占据80%以上超高纯领域的市场份额，并且持有专有技术，但近年来我国部分企业在金属提纯方面已经取得了较大进步，江丰电子和阿石创在铝靶材领域、隆华科技在钼钯材和ITO靶材领域、有研新材在铜靶材均有突破。
综合纯化与制备流程的技术来看，高纯溅射靶材主要包括五大核心生产技术。
参考长沙鑫康新材料官网《高纯溅射靶材是影响靶材质量的关键之五大核心生产技术》一文，综合纯化与制备流程的技术来看，能够掌控高端靶材市场的核心技术主要包括：a.超高纯金属控制和提纯技术、b.晶粒晶向控制技术、c.异种金属大面积焊接技术、d.金属的精密加工及特殊处理技术、e.靶材的清洗包装技术，是获取高端靶材的必备技术。
2、客户认证壁垒：
以半导体靶材为例，客户认证周期一般需要2-3年，且采取供应商份额制，新进入行业的企业面临着较高的客户认证壁垒。
显示面板行业客户认证周期也高达1-2年。高纯溅射靶材行业存在严格的供应商认证机制，一般需要2-3年。由于高纯溅射靶材技术含量高，其产品质量、性能指标直接决定了终端产品的品质和稳定性，属于客户的关键原材料。
因此，高纯溅射靶材行业存在严格的供应商认证机制，只有通过严格的行业性质量管理体系认证，同时满足下游客户的质量标准和性能要求，才能成为下游客户的合格供应商。通常情况下，需要经过供应商初评、报价、样品检测、小批样使用、以及稳定性检测等一系列评价过程，一般需要2-3年。
半导体芯片制造企业采取供应商份额制，新进入行业的企业面临着较高的客户认证壁垒。溅射靶材供应商在通过下游客户的资格认证后，下游客户会与溅射靶材供应商保持长期稳定的合作关系，不会轻易更换供应商，并在技术合作、供货份额等方面向优质供应商倾斜。
一般来看下游商家会选择三家左右的稳定供应商。
且排名第一的供应商处的采购量最大，排名第二的供应商处的采购量较小，而排名第三的供应商则处于备胎位置。因此新进入行业企业需要在技术水平、产品质量、后续服务和供应价格等方面显著超过原有供应商，才有可能获得供货订单，因此，新进入行业的企业面临着较高的客户认证壁垒。
光伏用ITO靶材与面板用技术互通，率先绑定产业龙头者有望获取先发优势。HJT光伏电池（异质结电池）在制备TCO导电膜阶段需要ITO靶材，其制作工艺和技术类似于面板用ITO靶材，但ITO靶材各家参数差别巨大，需要与下游厂家联合测试开发，率先绑定产业龙头者有望获取先发优势，高筑行业壁垒。
（一）需求：晶圆产能加速向中国大陆转移，21-25年我国靶材需求增速或达9.2%
1、靶材在半导体中的应用
半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。
半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。
其中，靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀，常采用PVD工艺进行镀膜，通常使用纯度在5N5及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜，常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。
半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。
具体工艺过程为，在完成溅射工艺后，使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上，然后再通过的特殊加工工艺，将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线，将芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来，从而起到传递信号的作用。
半导体靶材市场在半导体晶圆制造材料市场中占比约2.6%，在封装材料市场中占比约2.7%。
据SEMI统计，2011-2015年，在晶圆制造材料中，溅射靶材约占晶圆制造材料市场的2.6%。
在封装测试材料中，溅射靶材约占封装测试材料市场的2.7%。全球半导体靶材市场规模与全球半导体材料市场规模变化趋势相近。
2、全球半导体靶材市场规模预测
半导体行业已步入新一轮景气周期，预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元，封装材料销售额将达到248亿美元。
根据wind及SEMI数据显示，2011-2020年，全球半导体晶圆制造材料销售额年均复合增长率为4.1%，封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%，2020年，因5G普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求，全球半导体需求攀高，全球半导体材料销售额年增4.9%至553亿美元，其中晶圆制造材料占比63%，销售额为349亿美元；半导体封装材料204亿美元。据Gartner，经过2019年的周期性调整，半导体行业已步入新一轮景气周期。
我们假设2020-2025年全球半导体晶圆制造材料销售额CAGR与ICInsights预测全球晶圆制造市场规模CAGR基本保持一致，为11.6%，预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元，同时假设21-25年全球半导体封测材料销售额CAGR与Frost&Sullivan预测全球封测行业市场规模CAGR保持一致，为4.0%，封装材料销售额将达到248亿美元。
假设2016-2025年溅射靶材占晶圆制造材料销售额的比例维持在2.6%。
在封装测试材料中，溅射靶材占封装测试材料的比例维持在2.7%。我们预计2025年全球半导体靶材市场规模将达到22.4亿美元。
3、中国半导体靶材市场规模预测
半导体产业加速向国内转移，靶材行业正步入快速发展期，预计2025年我国半导体靶材市场规模将达到43亿元（折合6.7亿美元）。
在政府政策的支持和我国相对巨大的成本及市场优势下，半导体从正加速向中国大陆转移，一方面包括台积电、联电等在内的多家晶圆代工企业将在大陆投放产线，另一方面大陆晶圆代工厂包括中芯国际、华力微电子等也有多条产线投产。
随着半导体晶圆产能陆续向中国转移，国内半导体制造行业的体量将迅速扩张，靶材行业也步入了快速发展期，据MIR睿工业数据显示，2020年我国半导体靶材市场规模约29.86亿元（折合4.33亿美元），2013-2020年CAGR约16.15%。
据ICInsights的预测，到2025年中国大陆半导体芯片市场规模将达到2230亿美元，2020-2025年间的年复合增长率将达9.2%。
我们假设半导体材料增速与大陆生产半导体芯片市场规模增速持平，且2021-2025年靶材在半导体材料销售额中的占比与2020年持平，维持在4.5%。预计2025年我国半导体靶材市场规模将达到43亿元（折合6.7亿美元）
（二）供给：日美厂商占比约占90%，国产铜、铝等靶材已取得定点突破
1、国外主要半导体供应商基本情况
日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司，四家靶材制造国际巨头，占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。
半导体靶材技术含量极高，处于靶材应用场景顶端，市场集中度极高，日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司，四家靶材制造国际巨头，占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。
凭借着先发优势，美日等国的靶材企业已经具备了从金属材料的高纯化制备到靶材制造的完备的技术垂直整合能力，在全球高端电子制造用靶材市场占据着绝对的领先地位。
2、国内主要半导体靶材供应商基本情况
在政策引导和支持下，我国半导体用铜、铝、钛等靶材已实现定点突破，江丰电子（铝靶、钛靶、钽靶）、有研新材（铜靶、钴靶）是国内半导体用溅射靶材的龙头企业。
产能方面：未来2-3年我国半导体靶材预计将新增10万块以上产能
江丰电子：
1）现有产能：目前拥有半导体或平板显示用高纯铝靶材36920块、高纯钛靶材11895块、高纯铜靶材1000块、高纯钨靶材500块、高纯钴靶材1000块，高纯钽靶材4614块。
2)新增产能：2021年12月公司向特定对象发行股票拟募集资金总额不超过16.52亿元，用于建设宁波江丰电子年产5.2万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目、浙江海宁年产1.8万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目。项目建成后预计将新增7万块半导体靶材产能，项目建设期预计为24个月。
有研新材：
1）现有产能：目前拥有约2万吨半导体产能；
2)新增产能：公司年产30吨集成电路用超高纯铜新材料项目也正稳步推进，此外2022年3月公司也发布了有研亿金靶材扩产项目公告，拟投资6.46亿元新建山东德州新建生产基地和改扩建昌平基地项目，预计将在2025年底前达产，项目达产后公司产能将扩充73000块/年。
（三）应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展
芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。
芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。
为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。
1、趋势1：大尺寸
大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。
12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。
2、趋势2：多品种
半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。
目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。
钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。
随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。
在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。
随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。
据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。
但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。
因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。
3、趋势3：高纯化
高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。
在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。
目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。
全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强，国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。
但经过多年的靶材技术开发，近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破，已开始逐步实现国产替代。
（一）需求：预计25年我国市场规模约为50亿美元，21-25年CAGR为18.9%
1、靶材在平板显示中的应用
若根据工艺的不同，FPD行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。
其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等材料。IGZO为TFT激活层，一般用于手机LTPOOLED技术和大尺寸OLED技术。IGZO也可以被用于LCD的制造和X-ray探测器的制造。
在国内的LCD生产中，BOEB18和B19用IGZO作为TFT激活层。在老旧产线中，京东方也利用IGZO来替代a-Si以生产精度更高的X-ray探测器。
ITO和IZO为透明导电电极。其中ITO被广泛的运用于OLED和LCD的制造中，而IZO时而会被用于顶发射OLED的阴极来使用。
Cu、Al、Mo和Ti等金属则做为金属走线，被广泛的运用于Array的TFT生产中，其中钼或者合金材料靶材常作为OLED器件的阴极使用，此外铝靶也可作为阴极使用。
蒸镀用靶材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外，Ag也可以作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。
其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术，金属溅射靶材则是制造TFT-LCD过程中最关键的材料之一。
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点，目前TFT-LCD大约占80%以上的显示面板市场份额。
这类显示面板是由大量的液晶显示单元阵列组成(如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列)，而每一个液晶显示单元，都由一个单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。
薄膜晶体管阵列的制作原理，是在真空条件下，利用离子束流去轰击固体，使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上，经过反复多次的“沉积+刻蚀”，一层层(一般为7－12层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体，即用溅射法沉积薄膜的原材料，就被称作溅射靶材。
除LCD外，近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。
OLED典型结构是在氧化铟锡（ITO）玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料，ITO透明电极作为器件的阳极，钼或者合金材料作为器件的阴极。
从阴阳2极分别注入电子和空穴，在一定电压驱动下，被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合，形成激子并使发光分子产生单态激子，单态激子衰减发光。
平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡（ITO）靶材，部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和ITO靶材合计需求占比在60%~70%左右。
但由于各家企业所采用的溅射工艺不同，其所选的溅射靶材也有区别。如，京东方用铜靶、铝靶、钼靶和钼铌靶，韩国三星用钽靶、钛靶，但不用钼铌靶，中电熊猫用钛靶，但不用钼靶、钽靶等。以8.5代液晶显示面板生产线为例，一条8.5代线每年靶材的大致消耗120套铝靶、110套铜靶、60套钼靶、5套钼铌10靶。
此外据新材料产业《新型显示产业的ITO靶材市场探讨》，目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨，6代线ITO靶材年需求量约20吨。
3、显示面板靶材市场规模预测
受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升，预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元（折合约50亿美元），预计21-25年CAGR为18.9%。
整体来看，全球显示面板出货量增长已趋于平稳，参考Frost&Sullivan数据，2021-2025年全球显示面板出货量增速不断降低，预计2024年全球显示面板出货量将达到2.73亿平方米，2020-2024年年均复合增速仅为2.9%。
我国平板显示面板出货量增速明显快于全球显示面板增速，2020-2024年年均复合增速为6.3%，国产替代趋势明显，预计2024年我国显示面板出货量将占全球显示面板出货量的42.5%。
受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升，我国显示面板靶材市场预计也将保持较快增长，参考IHS预测，预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元（折合约50亿美元），预计21-25年CAGR为18.9%。在全球显示面板靶材中的占比将提升到57.7%。
（二）供给：日企占据国内市场主导地位，国产替代逐渐提速
我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，但国产替代逐渐提速。
当前该领域竞争格局以攀时、世泰科、贺利氏、爱发科、住友化学、JX金属等为代表的国外少数几家跨国集团占据主导地位，其中攀时、世泰科等厂商是全球钼靶材的主要供应商，住友化学、爱发科等厂商占据了全球铝靶材的大部分市场，三井矿业、JX金属、优美科等厂商是全球ITO靶材的主要供应商，爱发科、JX金属等厂商是全球铜靶材的主要供应商。国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、有研新材、先导稀材为主，国产替代正逐渐加速。
参考2018年9月张卫刚等于真空科学与技术学报发布的《平板显示行业用金属溅射靶材的市场需求分析》一文，具体来看：
1、铝靶：
目前国内液晶显示行业用铝靶材主要被日资企业主导，由于价格较低，是平板显示行业常用的溅射靶材，但近年来正逐步被铜靶所替代。
外企方面：爱发科电子材料(苏州)有限公司大约占据国内50%左右的市场份额。其次，住友化学也占有一部分市场份额。
国产方面:江丰电子从2013年左右开始介入铝靶材，目前已大批量供货，是国产化铝靶材的龙头企业。另外，南山铝业、新疆众和等企业也具备高纯铝的生产能力
2、铜靶：
从溅射工艺的发展趋势上来讲，对铜靶材的需求比例一直在逐步增加，加之，近几年国内液晶显示行业的市场规模整体上有所扩大，因此，平板显示行业对铜靶材的需求量将继续呈上升趋势。
外企方面:爱发科电子材料(苏州)有限公司几乎垄断着国内铜靶材市场，市场占有率在80%以上，且该公司近几年营收的增加额，主要来自于铜靶材销量的增加。
国产方面:有研新材具备高纯铜原料生产能力，但目前主要致力于半导体行业用圆形靶材生产，对液晶显示行业铜靶仅有500吨产能;洛铜集团具备高纯铜生产能力但不生产靶材，且高纯铜原料价格和进口原料相比，在价格方面无明显竞争优势;江丰电子引进海外高端人才，致力于开发高纯铜原料和铜靶材，即将批量生产。
3、钼靶：
钼靶材国内需求占全球超过一半，国产化率约有50%。钼靶具体可分为条靶、宽靶和管靶3种，其中，4.5代、5.5代和6代线一般使用宽幅钼靶，而8.5代及以上世代线用使用组合条靶或管靶。
（1）组合条靶:
外企方面:国外的奥地利攀时、德国世泰科、日本爱发科等企业已基本退出了这部分市场。
国产方面:国内钼靶材企业主要集中在洛阳地区，其中，隆华节能下属的洛阳高新四丰电子材料有限公司占据了国内60%多的市场份额，另外，洛阳高科钼钨材料有限公司占据了国内大约10%左右的市场份额。
（2）宽幅钼靶:
外企方面:国外的攀石、世泰科等企业在国内宽幅钼靶材市场占据较大市场。国产方面:四丰电子大尺寸宽幅钼靶已经开始批量供货；阿石创和金钼股份两家上市公司也充分利用各自在宽幅靶材轧制和靶材加工及销售方面的优势开展紧密合作，金钼股份向阿石创销售宽幅钼靶坯和条形钼靶坯(条形靶坯由宽幅靶坯切割而成)，阿石创负责后续绑定等工序和成品销售工作。
（3）钼管靶：
每条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年钼管靶8.5代线及以上常用钼靶，每套包含12根，每根单重约为300kg，每套重量约为3600kg。由于钼管靶的实际利用率约为70%，因此，每套钼管靶的成膜重量约为2500kg。
每条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年。另外，钼管靶的供应商，除了要通过其面板生产企业的认证外，还要通过钼管靶溅射设备生产商美国AKT公司的认证，并且要被收取钼管靶售价约5%的认证费。
截止2017年底，国内采用管靶溅射设备的生产线只有1条，业内也普遍认为钼管靶的发展空间并不大。
4、钼铌10合金靶
西部材料下属西安瑞福莱钨钼有限公司和爱发科公司合作，经多次试验攻关，已于2017年成功轧制出了氧含量小于1000×10－6，致密度达99.3%的Mo-Nb合金靶坯。
此外金钼集团也已实现高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付，攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题，掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。
经第三方机构检测，制备出的钼铌合金靶材各项指标达到要求。在此基础上，项目组又承接了用户管状靶材的订购需求，顺利交付了3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材，且品质优良。
钼铌合金管状靶材直径大于150毫米、长度达到2100毫米，纯度可达99.99%，氧含量小于500ppm。
5、ITO靶材：
ITO靶材是由90%的氧化铟与10%的氧化锡配比而成，相对密度要求大于99.5%。
目前全球铟消耗量中40%～50%以上是用于制备加工ITO靶材。
目前中国ITO靶材供应约一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场，约占国内市场30%的份额；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO靶材几乎全部从日本、韩国进口。
国产方面：近年来，国内多家厂商宣布进入ITO靶材领域，但实际量产和导入并不顺利，也尚未实现批量供应。
据集微网调研，目前国内有能力量产并供货的ITO靶材厂商有先导稀材，其ITO靶材产能预计已经达1100吨/年（清远200吨LCD用ITO靶材，100吨5G手机ITO靶材，合肥800吨），隆华科技全资子公司晶联光电的ITO靶材产能已经达到100吨/年，且在建200吨/年，映日科技的ITO靶材产能已经达到120吨/年，戊电科技的ITO靶材产能已经达到50吨/年等，而阿石创ITO靶材产能实际占比较小。
（三）应用趋势：预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔
显示面板用靶材的发展趋势是：大尺寸、低电阻、高纯度、高密度化，高效率化。
平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求仅次于半导体，一般在4N甚至5N（99.999%）以上。
在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等最为严苛。
相较于半导体芯片，平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。
钼溅射靶材作为OLED显示屏中的关键核心原材料，预计未来会有较快幅度的增长，据DSCC测算，到2025年，中国大陆的Gen6OLED产线将消耗约248Ton高纯Mo。
钼靶及其合计靶材作为OLED阴极常用材料，通常来看是OLED屏幕使用最多的靶材原料，2019年之前，钼溅射靶材由国外供应商独家供应，国产化率极低，钼靶原材料的瓶颈也阻碍这我国OLED显示行业的发展。
但近年来，金钼股份等国内企业已突破了钼溅射靶材行业壁垒。
如2020年，金钼股份通过自主进行工装技术设计、改造，先后攻克了超宽幅钼靶所用钼板坯的规格设计、钼基板板型控制、大规格板坯机加工精度控制等技术难题，成功制备出宽1800mm，长度2300mm的G6代钼靶材，产品各项指标已经达到国际先进水平，成功将G6代钼整靶推向全球最先进的OLED生产线使用，如三星、京东方。且公司主要产品已经量产，并具有超大（宽幅＞1800mm，单重超600Kg）、超纯（Mo＞99.97%）、超细晶粒等特点，制备难度大，精度要求高。
据悉2019年金钼股份钼靶材产品销售同比增长222%，跻身成为三星全球第二大供应商。2020年钼靶材产品销量同比增加47%。
预计随着OLED的快速崛起，钼靶未来将保持较高增长。
参考DSCC数据，预计2025年，中国大陆的Gen6OLED产线大约需要消耗46Ton的Al和248Ton高纯Mo。其中京东方、深天马和华星大致会消耗总量的37%、20%和17%。
此外，得益于优异的电学性能，铜靶将在显示屏生产得到广泛运用，据DSCC测算，中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求会从2021年599吨，逐步增加到2025年的976吨。
G8.5+产线对高纯Cu的需求将会超过8000吨。
据悉，为满足超高清电视性能需要和未来4K、8K产业规划，现在国内所有的Gen10.5代产线均已采取铜制程。同时，也为了进一步增加高端IT产品的刷新率和分辨率，一些较小的产线也逐步开始进行Cu制程的改建，不少Gen8.5和Gen8.5代线也在逐渐的全部或者部分转向Cu制程。
预计到2025年，所有G8.5+的产线均会采用Cu制程。
随着Cu制程的进一步推广，显示面板厂对Cu的需求和依赖也会进一步推高。根据DSCC测算，中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求将会从2021年599吨，逐步增加到2025年的976吨。
若考虑到G8.5+产线，预计中国大陆G8.5+产线每年对高纯Cu的需求会超过8000吨与Al不同，Cu的氧化物不能形成致密保护膜，耐腐蚀较差且扩散性较强，所以在采取Cu工艺时，一般会用Mo和Ti进行保护。
据DSCC测算，假设Gen10.5代线均以Ti来保护Cu线，则在2025年大致一年会消耗38吨的高纯Ti。
若考虑到G8.5+产线，假设在2025年，G8.5+的产线一半采用Mo，而一般采用Ti，则在2025年，大约需要消耗640吨高纯Mo，372吨高纯Ti。
面板ITO靶材：预计整体需求相对稳定，但高端ITO靶材国产替代需求强劲。
ITO靶材技术难壁垒高，长期以来一直被外商高度垄断，国产化进展十分缓慢。目前中国ITO靶材供应超一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO等靶材几乎全部从日本、韩国进口。
据ResearchInChina数据显示，2018中国ITO靶材需求已超过1000吨。但其中一半仍需进口，其中多为高端ITO靶材，本土企业实现进口替代的空间很大。但考虑到OLED产业对于ITO靶材需求相对较小，预计未来面板用ITO靶材市场将维持相对稳定。
（一）需求：预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%
1、光伏电池发展趋势
光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池（本征薄膜异质结电池），目前市场主流的晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池两大类，但目前市场主流的晶体硅太阳能电池不用溅射靶材，光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中自2015年三洋的HIT专利保护结束后，技术壁垒消除，HIT电池电池开始推广，近年来发展迅速。
薄膜电池近年来在美国也受到了政策的大力鼓励。
光伏电池用靶材形成背电极，靶材溅射镀膜形成的太阳能薄膜电池的背电级主要有三个用途：
第一，它是各单体电池的负极；第二，它是各自电池串联的导电通道；第三，它可以增加太阳能电池对光的反射。
目前太阳能薄膜电池用溅射靶材主要为方形板状，纯度要求一般在99.99%（4N）以上。其中薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等，HIT电池则主要使用ITO靶材作为其透明导电薄膜。铝靶、铜靶主要用于导电层薄膜，钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。
虽然薄膜电池及HIT电池目前占比较低，但从目前的发展趋势来看，CdTe薄膜电池以及HIT电池成长潜力较大。
传统的薄膜电池以硅基为主，但近年来转换效率技术遇到瓶颈，从产品性能与生产成本上相较晶硅电池无明显优势，企业相继退出、减产，因此传统薄膜电池在太阳能电池占比不断下降。但随着薄膜电池产品碲化镉（CdTe）电池的推出，薄膜电池有望迎来又一轮的高速成长期。
薄膜电池：从全球来看，碲化镉是目前为止商业化最成功的薄膜电池。
CdTe材料带隙宽度约1.5eV，与太阳光谱更匹配，其理论效率达32%。
且在建筑光伏一体化趋势下，碲化镉薄膜电池相对于传统晶硅电池更容易满足建筑对色彩的多样化需求以及透光率可调，尺寸大小定制等要求，是建筑光伏一体化最优选择，随着成本的下降未来具有较大的潜力。
据悉美国近年来正大力推广太阳能薄膜电池技术，美国太阳能制造商FirstSolar公司也表示，将在俄亥俄州西北部投资6.8亿美元建设第三家碲化镉太阳能工厂。
2025年建成后，该公司太阳能电池板产能将达6吉瓦。为约100万美国家庭供电。另一家俄亥俄州托莱多太阳能公司正在生产住宅屋顶碲化镉电池板。据CPIA的统计，2020年，全球CdTe组件产量已达6.2GW，近年来快速增长，有望带动薄膜电池新一轮的高速成长期。
HIT电池也因其无光衰、高效的特性，近年来投资热情高涨，据CPIA预测，HIT的市场份额将从2020年的3%增加至2025年的20%左右，2020年有望成为HIT产业化元年。
据北极星太阳能光伏网，HIT产能也有望从目前的2GW增长至2024年的100GW以上，目前布局HIT的企业越来越多，产业化酝酿开启。
2020年，各企业宣布的HIT产能规划接近50GW，目前已建成的HIT产能在3-5GW，根据CPIA预测，HIT的市场份额将从2020年的3%增加至2025年的20%左右。HIT电池预计也将带来巨额的光伏靶材产能需求。
2、全球光伏靶材市场规模预测
预计2025年全球太阳能电池靶材市场规模有望达到112亿美元。2020-2025年CAGR为28.8%。
HIT方面，参考CPIA预测，我们假设HIT的市场份额将从2020年的3%增加至2025年的20%左右，同时假设参考前瞻产业研究院HIT成长变化情况，我们假设HIT靶材成本缓慢递减。
2025年下降到0.041元/w，薄膜电池方面，由于碲化镉薄膜电池的成功商业化，我们预计全球薄膜电池渗透率有望继续触底回升，每年提升0.5%，同时鉴于2020年薄膜电池内部结构变化相对已趋于稳定，我们选取2020年薄膜电池成本为2021-2025年基数，预计2025年全球太阳能电池靶材市场规模有望达到112亿美元。2020-2025年CAGR为28.8%。
3、中国光伏电池靶材市场规模预测
目前国内光伏电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主，薄膜电池以及HIT占比较低，但是未来增长潜力较大。
薄膜电池方面：政策鼓励叠加销率提升，我国薄膜电池预计将逐步进入加速发展阶段。我国的薄膜电池以硅基薄膜为主，碲化镉与铜铟镓硒薄膜电池占比小，但随着薄膜电池尤其是碲化镉电池效率提升叠加政策鼓励，我国薄膜电池预计将逐步进入加速发展阶段。
国内薄膜电池企业数量偏少，主要为成都中建材、杭州龙焱和中山瑞科3家。其中龙焱能源碲化镉薄膜电池板已实现实验室转换效率20.1%，大组件转化效率超过14.5%，逐渐接近国外领先碲化镉电池水平和目前的晶硅电池转换效率，2021年10月，住建部正式发布了国家强制性规范《建筑节能与可再生能源利用通用规范》，BIPV需求也进一步提升。
据CPIA，目前国内量产碲化镉薄膜电池的企业主要为成都中建材、杭州龙焱、中山瑞科三家，但目前产能规模相对较小。
HIT电池方面，目前通威股份、爱康科技、彩虹新能源、汉能等上市公司相继布局HIT电池。其中通威股份拟在四川成都投资建设2GWHJT电池产线，并宣布与捷佳伟创合作研发200MW，迈为股份合作研发200MW产线；爱康科技拟于江苏湖州建设5GWHJT电池产线。国内厂商晋能、陕西煤业、中智等均在进行HIT的尝试。
我们假设2025年中国薄膜电池产品类型结构开始与全球趋同，且HIT电池与薄膜电池渗透率中国与全球逐步趋同，预估2025年中国太阳能电池靶材市场规模预计将达到约38亿美元，20-25年CAGR为58.2%。
（二）供给：薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，国内光伏靶材亦多处于起步阶段
国外头部企业一直在增强自身对太阳能电池的开发与供应。JX日矿金属与爱发科等在行业内处于领先位置。如如JX日矿金属目前已拥有了用于形成CIGS薄膜太阳能电池吸收层的In靶材（4N）和CuGa靶材（3N~5N）。
爱发科在太阳能电池靶材方面也在不断加强产能建设，据2017年爱发科电子材料（苏州）有限公司靶材生产技术改造项目环境影响报告表数据显示，技改后爱发科（苏州）共拥有半导体及太阳能电池靶材产能1200枚/年。
此外新疆众合的铝靶、四丰电子的非靶材类钨、钼制品也广泛应用于光伏太阳能行业。
先导稀材子公司先导薄膜材料在清远拥有新型显示及HIT异质结太阳能用靶材160吨，在合肥具有750吨太阳能靶材产能。
如隆华科技司已向HIT电池龙头隆基送样并开展联合测试开发项目，目前已经通过隆基认证，与下游企业的紧密合作也将助力公司光伏用ITO靶材业务的高速增长，确立先发优势，高筑行业壁垒。
（一）HDD转向数据中心存储获新生，磁记录靶材目前仍保持高速增长
数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，目前全球数据存储依然以磁记录为主，SSD短期仍然难以替代。
数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，近年来半导体存储发展迅速，预计光磁记录媒体市场会受到一定侵蚀。
但从数据存储量来看，目前磁记录仍然占据主导记录，SSD短期仍然难以替代。
2020年全球机械硬盘出货容量已超1ZB。光存储技术是用激光照射介质，通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化，将信息存储下来的技术，主要包括CD、VCD、DVD、BD蓝光等技术。整体上来看CD等技术占存储比例较低。
磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。
由于光记录媒体出货容量占比较小，因此我们本文仅考虑磁记录情况，按记录媒体的机械形状和驱动方式的不同，磁记录可分为磁鼓、磁带（录音机、录像机、数据记录）、磁盘（硬盘、软盘）、磁卡等，其中，高密度硬盘领域的磁性薄膜几乎都是以溅射法制作的，这些磁记录薄膜材料有很高的记录密度。
因此也要求溅射靶材具有高纯度、低气体含量、细晶微结构、均匀的金相、高磁穿透和使用率、优异的电性与机械特性等特点。磁记录靶材常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。
我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能也非常有限。全球机械键盘产量主要集中在东芝、西部数据、希捷三家企业，中国机械键盘产量较小，因此我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主。
受益于数据存储需求快速增长，全球磁记录媒体靶材依然维持较高增速，预估2025年全球记录媒体靶材金额约为101亿美元，2020-2025年年均复合增速约为10.6%。
2013-2016年单位机械硬盘容量所需靶材金额约为0.049、0.048、0.053、0.056亿美元/EB，整体上相对稳定，因此我们假设2017-2020年该金额与2016年相同，可计算出2020年的全球记录媒体靶材金额约为61亿美元，2013-2020年年均复合增速约为15.6%。
若假设单位机械硬盘容量所需靶材金额继续维持不变，参考全球HDD出货量情况，预估2025年的全球记录媒体靶材金额约为101亿美元，20-25年年均复合增速约为10.6%。预估2020年我国记录媒体溅射靶材市场规模为到97亿元（折合14亿美元），2013-2020年年均复合增速约为8.9%。由于机械硬盘国产化水平极低，因此我们预计我国机械硬盘靶材市场也增长较为缓慢，参考2013-2016年记录媒体靶材同比情况，我们假设假设2017-2020年增速仍然维持在9%左右。
预估2020年我国记录媒体溅射靶材市场规模已达到97亿元（折合14亿美元），我国记录媒体靶材市场规模较小，主要系我国机械硬盘国产化水平极低，以及记录媒体研发重心主要在半导体存储SSD，对传统的机械硬盘形成了一定替代。
（二）趋势难逆，传统光磁记录媒体正转向半导体存储
固态硬盘替代机械硬盘已是大势所趋，传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。
作为新一代硬盘，SSD在性能、体积、噪音、震动等方面均远胜于HDD。近几年随着NAND闪存技术的不断发展，基于闪存存储的SSD性能不断提升，不仅寿命足以支持各类应用场景，其价格也在持续回落恢复到市场所认同的高性价比。
但短期来看，HDD在数据中心等方面的优势依然较为突出，SDD仍有部分缺陷尚待攻克，受益于全球数据存储需求的高速增长，HDD与SSD在存储容量方面均将保持较快增速，但SSD对HDD逐步形成侵蚀已成必然。
也将带动传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。
此外存储芯片需求的上升预计将带来钴靶、钨靶、钽靶等靶材需求上升。
据电子工程世界2018年《进口靶材免税“天窗”即将到期，或增加17%关税利好国内厂商》一文介绍，存储器芯片靶材使用和逻辑芯片的使用种类有很大区别。
逻辑里用量大的是铜、钽、钛、铝、钴、镍铂等，这几种材料占到所有份额的95%以上，其中铜和钽占采购份额的85%。铜和钽是逻辑FAB里面用量最大的两种产品，若能掌握铜、钽靶材的生产工艺，则主导逻辑FAB靶材。存储器芯片则分为两个方向，一个是DRAM，一个是NAND。
1）DRAM厂主要种类是钨、钛、钽、铝、钴、铜，用量最大的是钛靶和铝靶，但单块金额较低。如能掌握钴靶、钨靶、钽靶的研发能力，预测便能掌握较大的DRAM份额。铝靶、钛靶的行业壁垒相对较低，使用较为成熟，国内的江丰、有研等在FAB采购份额也均占有一定的比例，对于高端的钨、钴、钽靶材供应商主要还是以nikko、Tosol和honeywell等国外企业为主，铜的用量则相对不大。
2）3DNAND领域主要使用的靶材为钨，其次是钛，再其次是铜和钽的用量，钨靶的采购额占据3DNAND工厂的70%以上份额，钽靶Tosol的市场份额还是有很大的竞争力，Nikko在钽靶方面前期做的不如其他家，但是Nikko收购了钽靶的原材料供应商，预计后期Nikko竞争力相对较强。
此外我国的长江存储32层堆栈3DNAND闪存量产在即，国产3D-NAND加速崛起，钨靶在国内市场需求较大，也是目前我国亟需突破的一款靶材。江丰电子与章源钨业也在高纯钨及靶材方面取得了较大进步。
综上，靶材作为半导体、显示面板、光伏电池等的关键原料，预计2025年全球市场规模将达333亿美元，但目前四家日美巨头占据80%靶材市场，国产替代需求强烈。近年来随着下游产业向国内转移以及国内靶材工艺和原料提纯工艺的突破，国产铝、铜、钼、ITO等品种已取得定向突破，并进入下游主流客户供应体系。
从下游来看，我们认为半导体靶材市场、显示面板靶材市场以及光伏面板靶材市场未来成长空间较大，预计2025年我国半导体靶材市场规模将达到6.7亿美元，21-25年CAGR为9.2%。显示面板靶材市场规模约为50亿美元，21-25年CAGR为18.9%。光伏靶材市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。
两条主线：
一是靶材上游企业，具备高纯钽提纯能力的东方钽业(000962)，高纯铝提纯企业天山铝业(002532）、新疆众和(600888)，以及高纯/钼提纯企业金钼股份(601958)，高纯钨提纯企业章源钨业(002378)等。
二是靶材生产企业，已在靶材制造工艺和原料提纯工艺上取得突破且产能不断扩张的有研新材(600206)、江丰电子(300666)、隆华科技(300263)等；
靶材下游行业景气度不及预期：半导体及显示面板、HIT电池与薄膜电池与受到技术或国际政治因素影响低于预期。使得国内靶材需求增速放缓。
靶材厂商产能建设或释放不及预期：受疫情或环保等因素影响，靶材产能建设与释放不及预期；
国产靶材原料无法达到靶材要求：如半导体靶材纯度遇到瓶颈、高纯金属材料存在缺陷等。