1.芜湖映日科技申请溅射平面银铜合金靶材及其制备方法专利,使银铜芜湖映日科技申请溅射平面银铜合金靶材及其制备方法专利,使银铜合金粗锭成分均匀和提高了致密性 快报金融界灵通君 北京 0 打开网易新闻 体验效果更佳动物真的能成精吗?1997年河南黄鼠狼“讨封”事件震惊全国 郭灵儿 117跟贴 打开APP 美剧:简单的巧合拼凑在一起,竟能杀人于无形,真相令人大跌眼镜 花开花影 836跟贴 https://m.163.com/v/video/VPHTIHHK6.html

2.铜纳米粒子(精选八篇)配制0.1mol/L的硫酸铜乙二醇溶液和水合肼的乙二醇溶液,两者混合均匀,加入少量PEG,搅拌数分钟至全部溶解,放入经过预处理得到的硅片,然后置于微波炉中加热2min。 1.4 碳纤维的制备 将生长有铜纳米粒子的硅片平放在瓷舟中,水平放入管式炉,以乙炔为碳源,在氢气还原气氛下生长碳纤维,炉温340℃,保温30min。 https://www.360wenmi.com/f/cnkeygmhtij3.html

3.微电子工艺答:(1)互连:由导电材料,如铝、多晶硅和铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用于芯片上器件和器件整个封装之间的金属连接。(2)接触:硅芯片内部的器件与第一金属层间在硅片表面的连接。(3)通孔:穿过各种介质从某一金属层到毗邻金属层形成电通路的开口。(4)填充薄膜:用金属薄膜填充通孔以便在两https://www.360docs.net/doc/2b19361897.html

4.母线制备方法金刚线及其制备方法和硅片切割应用主权项:1.母线制备方法,其特征在于,包括步骤:滚筒表面设有环绕其圆周方向一圈的凹槽,滚筒表面只有凹槽部分导电;滚筒有部分浸没在金属离子溶液中,金属为镍合金,镍合金为镍的钨、铜合金,溶液中镍离子浓度60-720gL、合金离子浓度1-110gL,溶液中钨质量浓度为镍的3-6%、铜质量浓度为镍的0.5-1%;在镍中引入钨提高母线https://pbs.lotut.com/zhuanli/detail.html?id=66d040b85dbd825dd0ae0e2c

5.专题石墨烯防腐研究进展之面面观石墨烯不仅是最坚硬的材料,同时还是防腐涂料领域已知的最薄的一种,一根头发丝的直径约是 10 万层石墨烯叠加起来的厚度 , 它独特的二维结构使得它既可以在涂层中构建导电导热通道,又可以互相拼接形成严密的迷宫式物理屏障,隔绝腐蚀因子,将它涂在金属表面,可以保护金属不受腐蚀。石墨烯防腐涂料具有导电、导热、防腐、电http://www.corrdata.org.cn/dhTJDAOHANG/xinxiziyuan/kepuqikan/2017-06-28/3226.html

6.溴化物溴酸盐浸岀金银工艺配方[简介]:本技术提供了一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法。它是将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除比氢活泼的金属,用硝酸溶解硅片表面上的铜或银,用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂,再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物,纯水洗净、甩干或http://www.zxmw.com/jinshuhuishou/1355.html

7.原子转移自由基聚合6篇(全文)周峰等[21]采用表面引发室温ATRP法在金基底上原位制备了接枝聚合物刷,用FT-IR和X射线光电子能谱分析(XPS)等对其制备过程进行了表征,结果表明,初始时聚合物刷的厚度随着聚合时间的延长线性增加,表现为活性聚合的特征。董小宁等[22]用ATRP法在硅片表面制备了低表面能的2,3,4,5,6-五氟苯乙烯聚合物刷,利用椭圆https://www.99xueshu.com/w/ikey528n6b0p.html

8.Joule:硅异质结太阳电池—技术经济评估和发展机遇通过生产无主栅电池或改用Ni/Cu/Ag 多层电沉积,可以进一步降低金属化成本。然而这种方法很容易导致重影电镀。此外,废水处理的高成本也会影响电镀的广泛应用。为此,Fraunhofer ISE提出了自然氧化物阻挡层用于选择性电镀(NOBLE)方法,使用NOBLE工艺的最高电池效率为21.2%。电镀铜SHJ器件成功商业化的另一个技术-经济障碍是https://www.shangyexinzhi.com/article/4712637.html

9.国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质.pdf金属污染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差,有统计表明,在电力电子元器 件和光伏产品制造业中50%产品良率的降低都是由于污染造成的,因此在制造生产过程中 对硅片表面杂质污染的控制极为重要,检测规范非常严格。随着ICP-MS(电感耦合等离 子体质谱分析法)技术的不断革新,以及其杰出的超痕量级检测性能和多https://max.book118.com/html/2024/0107/5220120010011040.shtm

10.氮化铝陶瓷金属化5大方法,哪个最给力?AlN陶瓷金属化的方法主要有:薄膜金属化(如Ti/Pd/Au)、厚膜金属化(低温金属化、高温金属化)、化学镀金属化(如Ni)、直接覆铜法(DBC)及激光金属化。 薄膜金属化 薄膜金属化法采用溅射镀膜等真空镀膜法使膜材料和基板结合在一起,通常在多层结构基板中,基板内部金属和表层金属不尽相同,陶瓷基板相接触的薄膜金属应该http://m.xincailiao.com/news/app_detail.aspx?id=585965

11.图案化聚合物刷辅助金属无电沉积制备铜图案及应用进行离子交换将金属催化剂固定在聚合物刷分子链上以诱导铜沉积,光学显微镜和XPS的分析结果表明了铜在PMETAC聚合物刷区域的选择性沉积。对不同尺寸铜图案表面的电性能进行研究,设计了通过硅片表面铜图案连接导线以点亮发光二极管的实验,结果表明该方法制备的铜图案具有优异的导电性。相关研究工作为图案化聚合物刷辅助金属http://pmse.scu.edu.cn/gfzclkxygc/article/abstract/20230918

12.硅片缺陷的检测方法与流程4.为了达到上述目的,本发明实施例采用的技术方案是:一种硅片缺陷的检测方法,包括以下步骤: 5.将待检测硅片切割为两片待检测子硅片; 6.将两片待检测子硅片进行金属污染处理; 7.将两片待检测子硅片进行不同的热处理,并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案,判断待检测硅片的缺陷。 http://mip.xjishu.com/zhuanli/52/202211657324.html

13.螯合剂在微电子工艺中减少硅表面重金属污染的应用研究本论文还研究了几种酸性螯合剂在DHF清洗液和酸性硅溶胶抛光液中减少铜在硅晶片表面沉积的情况,其中将螯合剂用于DHF清洗液中减少金属在硅晶片表面沉积未见文献报道,本文是首次。研究表明在DHF清洗液中加入不同螯合剂都可以减少硅片表面金属污染,其中膦酸类螯合剂减少金属铜在硅晶片表面沉积效果较好;酸性硅溶胶抛光液中https://wap.cnki.net/lunwen-2007190485.html

14.芯片制造的核心工艺:一文看懂薄膜沉积③栅极工艺:集成电路工艺中最关键的步骤,直接影响IC性能,主要用多晶硅/金属作为栅极,用SiO2、SiON、高k介质(HFO2、HfSiOx、HfSiON等)作为栅氧化层,其中薄膜沉积的壁垒在于保证栅氧化层尽可能薄。栅极制作中需要用到最先进的光刻、刻蚀与薄膜沉积工艺及设备,一般在45nm以上制程中,使用氧化方法制备SiO2作为栅氧化层,在https://jishulink.com/post/1877926

15.纳米二氧化硅浆料中半导体硅片的化学机械抛光及其应用研究随着集成电路(IC)的快速发展,对衬底材料硅单晶抛光片表面质量的要求越来越高,化学机械抛光(CMP)是目前能实现全局平面化的唯一方法。研究硅片CMP技术中浆料性质、浆料与硅片相互作用、抛光速率及硅片CMP过程机理具有重要理论指导意义和实际应用价值。本文运用胶体化学、电http://www.jiupengap.com/h-nd-310.html