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2.美国国家仪器公司是否将GE智能平台嵌入式系统视为计算机或电子GE智能平台宣布与美国国家仪器公司达成合作协议,后者将分销GE cPCI-5565PIO反射内存PMC和载卡,这些产品适用于3U CompactPCI系统。这些反射内存模块基于GE PMC-5565PIORC,并配备256MB内存和2Gbaud的传输速率。它们可以与NI PXI机箱结合使用,以支持NI VeriStand实时测试和仿真软件平台。 https://www.fvtw382z1.cn/qian-ru-shi-xi-tong/315913.html

3.美国国家仪器公司是否选择了GE智能平台分销GE的反射内存模块以GE智能平台宣布与美国国家仪器公司达成合作协议,后者将分销GE cPCI-5565PIO反射内存PMC和载卡,这些产品适用于3U CompactPCI系统。这些反射内存模块基于GE PMC-5565PIORC,并配备了256MB的内存,能够实现高速传输速率2Gbaud。它们特别设计来配合NI PXI机箱,与NI VeriStand实时测试和仿真软件平台无缝对接。 https://www.6pc9d0c0gh.cn/bai-jia-dian/462869.html

4.厦门航天思尔特取得一种工件识别方法装置设备和存储介质专利压厦门航天思尔特取得一种工件识别方法、装置、设备和存储介质专利,专利,工件,介质,压力传感器,国家知识产权局https://www.163.com/dy/article/JIIEQ2PN0519QIKK.html

5.非晶过渡层Si基半导体材料键合及键合Ge/Si近红外探测器的研究本文将创新性的在Ge/Si键合界面引入一层非晶Ge(a-Ge)过渡层,围绕如何实现高质量Si基Ge薄膜的智能剥离、降低Ge/Si p-i-n探测器暗电流和建立Ge/Si单光子探测器的理论模型展开相关工作,具体工作内容和结果如下:1.研究了磁控溅射生长条件对a-Ge表面粗糙度(RMS)和亲水性的影响,在Si和Ge衬底上获得了极度平整且https://wap.cnki.net/touch/web/Dissertation/Article/10384-1019117536.nh.html

6.基于Ge/Si虚衬底的GePIN光电探测器及其制备专利专利查询本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GePIN光电探测器及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;生长Ge籽晶层;生长Ge主体层;生长SiO2层;将整个衬底材料加热至700℃,连续采用激光工艺晶化,激光波长为808nm,光斑尺寸10mm×1mm,功率为1.5kW/cm2,移动速度为25mm/s,形成晶化Ge层;去除SiO2层;生长P型Ge层、本征Ge层、N型Ge层https://www.tianyancha.com/patent/f6ea7e5639163c45db5571cad3f02b46

7.垂直型Ge本仿真模拟的是一种垂直型Ge-Si行波波导型光电探测器,该器件的工作原理是在外加电压的情况下,光注入产生的非平衡载流子会被电极收集,从而影响半导体的电流电压特性,根据这种电信号的变化来探测光信号。https://blog.csdn.net/GMPT_001/article/details/137354579

8.铟镓砷InGaAs光电二极管探测器2.2um扩展型GPDGAP2000/2.2光电探测器 子分类 光电探测器 MCT碲镉汞探测器 子分类 MCT碲镉汞探测器 碲镉汞 MCT(HgCdTe) 非冷却 红外光伏/光电导多通道象限探测器 1-12um 碲镉汞Si硅光电探测器 子分类 Si硅光电探测器 硅Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz) 硅Si 光电平衡探测器 BPD-SI系列 400~1100nm 硅http://microphotons.cn/?a=cpinfo&id=1621

9.光纤通信技术进展AET在长波长(InGaAsF/InP)方面的研制工作早已开始进行,目前也有少量商品。可以断言,垂直腔面发射激光器将在接入网、局域网中发挥重大作用。 3. 窄带响应可调谐集成光子探测器 由于DWDM光网络系统信道间隔越来越小,甚至到0.1nm。为此,探测器的响应谱半宽也应基本上达到这个要求。恰好窄带探测器有陡锐的响应谱特性,能够http://m.chinaaet.com/article/24328

10.Intel的100GQSFP28CWDM4硅光模块讯石光通讯网TX是由4个III-V/Si混合集成激光器、4个MZ光调制器及调制器驱动芯片、基于EDG技术的MUX、光纤耦合部分组成。RX由4个Ge/Si探测器、TIA、PLC基DeMUX、光纤耦合部分组成。TX和RX的时钟和数据恢复采用MACOM的4通道25G CDR芯片。TX和RX光纤阵列多余的尾纤,通过盘纤纤进行整理固定。http://www.iccsz.com/site/cn/News/2020/08/31/20200831010426027608.htm

11.publication不同响应机制下的石墨烯基光电探测器研究进展 张翼鹏,王雪,纪佩璇,赵健,张凯敏,李睿,于凯丞,田昊,马雷 发光学报(2022)DOI:10.37188/CJL.20210359[PDF] 2021 Highly Ordered Micropores Activated Carbon from Long Fiber Biomass for High Energy Density Supercapacitors http://ticnn.tju.edu.cn/publication.htm

12.EVK2CP/600.71/L/REPC无液压站EMG探测头技术文章在可见光波段方面,到二十世纪50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTehttps://www.hbzhan.com/st715926/article_1296973.html

13.雪崩光电探测器雪崩光电探测器的材料 1)Si Si材料技术是一种成熟技术,广泛应用于微电子领域,但并不适合制备目前光通信领域普遍接受的1.31mm,1.55mm波长范围的器件。 2)Ge Ge APD虽然光谱响应适合光纤传输低损耗、低色散的要求,但在制备工艺中存在很大的困难。而且,Ge的电子和空穴的离化率比率( )接近1,因此很难制备出高性能的http://www.360doc.com/content/13/1003/18/12109864_318804022.shtml